一、我国纳米电子学应用研究又有新进展（论文文献综述）
杨小乐[1]（2019）在《基于Ⅳ族元素的二维材料的理论设计与性能研究》文中指出石墨烯的发现掀起了二维纳米材料的研究热潮。经过十几年的探索与研究,二维纳米材料受到了越来越多的科研工作者的广泛关注。相比于体相材料,它们具有独特的几何构型和优异而新颖的性能,在电子/光电子、能量存储和能源利用等领域都有着潜在的应用价值。在本论文中,首先在绪论中介绍了有关纳电子学理论的发展进程与纳米材料,其中重点介绍了二维纳米材料的进展。其次在第二章介绍了相关的理论基础和计算方法。最后在第三章到五章,介绍了理论预测的三种二维纳米材料的结构,并且探究了它们的光电性质。研究的主要内容为:（1）继石墨烯之后,以磷烯为代表的V族元素组成的二维纳米材料陆续被发现。根据等电子体原理,我们设计了黑磷烯的等电子体结构α-CS,并且从能量、热力学和动力学三个方面验证该结构的稳定性。α-CS是间接带隙半导体,禁带宽度为1.96 eV。此外,在中性水溶液中（pH=7）,α-CS结构的导带底和价带顶位置跨越了水的氧化还原电位,是一个潜在的二维光催化材料。（2）通过机械剥离的方法从石墨中可以分离出石墨烯,受此启发,我们搜索到具有二维层状结构的SnP3。第一性原理计算结果表明二维单层SnP3是可以稳定存在的结构。单层SnP3是一个间接带隙（0.68 eV）半导体,在紫外和可见光的范围内表现出良好的光吸收性能。在外部施加应力的情况下,SnP3可实现由间接带隙半导体-直接带隙半导体-金属的转变,这在设计灵敏型半导体器件方面有很好应用前景。（3）我们预测由体相GeI2可分离出单层材料。结合声子谱、结合能、热力学和动力学计算可证实单层GeI2具有良好的稳定性。GeI2是一个宽带隙半导体,其带隙值为2.59 eV,在蓝光和紫外光区域内的有很好的吸收能力。通过H原子在其单面修饰,GeI2实现了由非磁性半导体到铁磁性半金属的转变,这拓宽了它在自旋电子应用领域的前景。
刘欣[2]（2019）在《中国物理学院士群体计量研究》文中提出有关科技精英的研究是科学技术史和科学社会学交叉研究的议题之一,随着中国近现代科技的发展,中国科技精英的规模逐渐扩大,有关中国科技精英的研究也随之增多,但从学科角度进行科技精英的研究相对偏少;物理学是推动自然科学和现代技术发展的重要力量,在整个自然科学学科体系中占有较高地位,同时与国民经济发展和国防建设密切关联,是20世纪以来对中国影响较大的学科之一;中国物理学院士是物理学精英的代表,探讨中国物理学院士成长路径的问题,不仅有助于丰富对中国物理学院士群体结构和发展趋势的认识,而且有助于为中国科技精英的成长和培养提供相关借鉴;基于此,本文围绕“中国物理学院士的成长路径”这一问题,按照“变量——特征——要素——路径”的研究思路,引入计量分析的研究方法,对中国物理学院士这一群体进行了多角度的计量研究,文章主体由以下四部分组成。第一部分（第一章）以“院士制度”在中国的发展史为线索,通过对1948年国民政府中央研究院和国立北平研究院推选产生中国第一届物理学院士,1955年和1957年遴选出新中国成立后的前两届物理学学部委员、1980年和1991年增补的物理学学部委员、1993年后推选产生的中国科学院物理学院士、1994年后的中国科学院外籍物理学院士和中国工程院物理学院士,及其他国家和国际组织的华裔物理学院士的搜集整理,筛选出319位中国物理学院士,构成本次计量研究的样本来源。第二部分（第二至九章）对中国物理学院士群体进行计量研究。首先,以基本情况、教育经历、归国工作,学科分布、获得国内外重大科技奖励等情况为变量,对中国物理学院士群体的总体特征进行了计量分析;其次,按照物理学的分支交叉学科分类,主要对中国理论物理学、凝聚态物理学、光学、高能物理学、原子核物理学这五个分支学科的院士群体特征分别进行了深入的计量分析,对其他一些分支交叉学科,诸如天体物理学、生物物理学、工程热物理、地球物理学、电子物理学、声学、物理力学和量子信息科技等领域的院士群体的典型特征进行了计量分析,分析内容主要包括不同学科物理学院士的年龄结构、学位结构、性别比例,在各研究领域的分布、发展趋势和师承关系等;再次,在对各分支交叉学科物理学院士的基本情况和研究领域计量分析的基础上,对不同学科间物理学院士的基本情况进行比较研究,对中国物理学院士研究领域和代际演化进行趋势分析。第三部分（第十章）在第二部分计量分析的基础上,总结归纳出中国物理学院士的群体结构特征、研究领域和代际演化的趋势特征。中国物理学院士的群体结构呈现整体老龄化问题严重,但近些年年轻化趋向较为明显,整体学历水平较高,同时本土培养物理学精英的能力增强,女性物理学院士占比较低但他们科技贡献突出,空间结构“集聚性”较强,但近些年这种“集聚性”逐渐被打破等特征;中国物理学院士的研究领域呈现出,物理学科中交叉性较强的研究领域具有极大的发展潜力,应用性较强的研究领域产业化趋势明显,当代物理学的发展与科研实验设施的关系越发紧密等趋势特征;中国物理学院士的代际演化呈现出,新中国成立初期国家需求导向下的相关物理学科迅猛发展,20世纪80年代以来物理学院士研究兴趣与国家政策支持相得益彰,21世纪以来物理学院士个体对从事学科发展的主导作用越来越大等趋势特征。第四部分（第十一章）通过分析中国物理学院士群体的计量特征得出中国物理学院士的成长路径。宏观层面,社会时代发展大背景的影响一直存在,国家发展战略需求导向要素有所减弱,国家科技管理制度的要素影响有所增强,中国传统文化对物理学院士成长潜移默化的影响;中观层面,物理学学科前沿发展需求的导向要素显着增强,空间结构“集聚性”的影响逐渐在减弱,师承关系的影响主要体现于学科延承方面;微观层面,性别差异对物理学家社会分层的影响很弱,年龄要素对物理学院士成长具有一定的影响,个人研究兴趣对物理学院士的成长影响增强;可见中国物理学院士受社会时代背景、中国传统文化的影响一直存在,受国家发展战略需求的导向影响有所减弱,而受物理学学科前沿发展和物理学家个人研究兴趣的导向逐渐增强,进而得出中国物理学院士的社会分层总体符合科学“普遍主义”原则的结论。最后,在中国物理学院士的群体发展展望中,提出须优化中国物理学院士年龄结构和培养跨学科物理科技人才,辩证看待中国物理学院士空间结构的“集聚性”和师承效应,发挥中国物理学院士的研究优势弥补研究领域的不足,增加科研经费投入和完善科技奖励机制,不断加强国家对物理学的支持力度等建议,以促进中国物理学院士群体的良性发展和推动我国从物理学大国发展为物理学强国。
冯闯[3]（2019）在《典型二维非碳材料的甲醛气体吸附行为的第一性原理研究》文中指出气体传感器作为广泛应用的传感器,可以将气体特征信息通过特殊手段转化为相应可检测的电学信号特征,从而实现对特定气体的检测。随着人民生活水平的提高和对环境保护的日益重视,人们对各种有毒有害气体的检测,工业废气的监测以及对食品质量的检测提出了更高的要求。甲醛是一种有刺激性气味、无色的有毒气体,几乎存在人类活动的任何地方,甲醛（CH2O）气体的检测对人们的生产和生活具有重要意义。随着石墨烯的成功制备,越来越多的二维材料被成功预测和制备。由于二维材料的高比表面积和优异的电学性能,它们作为敏感材料在半导体气体传感器领域的表现明显优于传统的金属氧化物（MEMS和NEMS器件中的应用）。二维材料作为敏感材料在气体传感器中的应用将会为传感器的性能带来极大的提升。本文的主要研究内容是运用第一性原理计算方法开展多种二维材料气体吸附行为的微观作用机理研究,尤其是针对CH2O检测敏感材料的相关作用机理研究。通过第一性原理计算方法,本文展开了基于单层二维材料penta-BP5多种气体（CH2O、CO、CO2、SO2、O2和NO）吸附行为的研究。文中计算了CH2O、CO、CO2、SO2、O2和NO在penta-BP5表面吸附体系的结构和电学性能参数。计算结果表明CH2O、CO、CO2和SO2在基底的表面吸附行为趋向于物理吸附。研究表明CH2O和SO2吸附于penta-BP5表面时拥有明显的电荷转移,而且基底的电学性能在气体小分子吸附前后发生了明显改变,penta-BP5可以应用于CH2O和SO2的检测。这两种气体在基底表面的吸附行为是物理吸附,吸附后很容易从penta-BP5表面脱吸附,penta-BP5对于这两种气体的检测表现可能比蓝磷烯好。对于O2和NO吸附在penta-BP5表面的吸附行为趋向于化学吸附,表明penta-BP5能够应用于这两种气体的检测或者相关的催化反应。本文还通过第一性原理计算方法,专门展开了CH2O在BN、AlN、GaN、InN、BP和P六种单层二维材料表面吸附机理的研究。本文计算了CH2O在六种基底表面吸附体系的最稳定结构,电荷转移量和电学性能参数。研究结果表明,CH2O在BN、GaN、BP和P表面的吸附行为趋向于物理吸附。通过计算分析吸附体系的能带结构和态密度,发现CH2O吸附前后BN、AlN、GaN、InN和P的电学性能发生了明显的改变。CH2O在GaN表面的吸附行为趋向于物理吸附,而且CH2O和基底间有明显的电荷转移以及最大的吸附能,认为GaN是这六种材料里最适合运用于CH2O检测的。CH2O在AlN和InN表面的吸附行为趋向于化学吸附,并伴随着较大的吸附能和电荷转移量,考虑到化学吸附导致小分子脱吸附困难,单层AlN和InN适合应用于一次性CH2O气体检测或者相关的催化反应。
刘红梅[4]（2012）在《硫族半导体纳米晶的可控合成及光电性能应用》文中进行了进一步梳理硫族半导体纳米晶因其独特的光、电、磁等性能，在太阳能电池、传感器、光探测器以及发光二极管、场效应晶体管等诸多领域显示了潜在的广阔应用前景。当前，溶剂热法已成为半导体（尤其是II-VI族）纳米晶合成的主流方法，该方法具有许多优点：实验过程简单、溶剂及配体选择丰富、反应过程易于控制、产率高、纳米晶尺寸及形貌可控，因而备受青睐。将纳米晶应用于光电领域是近年来兴起的一个非常热门的研究方向，如借鉴有机太阳电池旋涂（spin-coating）制膜的方法，将半导体纳米晶作为受体相与聚合物共混制成有机-无机杂化太阳电池或者光探测器，也可以选择不同带隙的纳米晶制成全无机纳米晶太阳电池，这类电池兼具制作成本低、制备工艺简单、材料损耗少等许多优点，是新一代高效太阳电池的重要研究方向，目前这类电池的研究已经取得了许多重要的科研成果，小面积器件的转化效率已经超过10%，接近非晶硅薄膜的能量转化效率。本文综述了当前国内外半导体纳米晶材料合成以及应用研究的最新进展,总结了笔者攻读博士学位期间，利用溶剂热方法合成多种形貌、尺寸可控的硫族半导体纳米晶并研究其在光电、磁电等方面的应用，重点研究了两种极具发展潜力的半导体纳米晶的合成及其光电应用。一类为形貌、尺寸高度可控的硒化镉半导体纳米晶，其光学带隙主要受尺寸以及形貌的控制，导带和价带的位置非常适合作为受体用于有机-无机杂化太阳电池；另一类为带隙较窄（1.5eV）、较高光吸收系数（104/cm）的碲化镉半导体纳米晶，这种纳米晶适合用于光电池的吸收层，非常有望用于新一代高效纳米晶太阳电池；此外，我们还以硒、碲单质纳米线为模板，通过元素交换反应，成功制备了一系列Ag2+δTe、Ag2+δTexSe1-x半导体纳米晶并研究了其在磁电方面的应用。经我们多方面的调查研究，我们部分的研究工作目前处于国内外领先水平：1、提出了一种新的原位配体生成机理，在不使用额外添加表面活性剂的情况下，采用低成本的羧酸镉盐为镉前驱体，以TOPSe为Se前驱体，中等反应温度（240oC）下，溶剂热方法成功制备了形貌（包括球状、非规则点状、棒状、四足状）、尺寸以及长径比可控的高质量CdSe纳米晶，深入研究了反应温度、TOPSe单体浓度及羧酸镉盐前驱体链长等对纳米晶形貌的影响，发现在优化的合成条件下，可以获得四足状选择率达到85%的CdSe纳米晶，这结果可以与使用高昂的磷酸配体用于调控合成CdSe四足状纳米晶的方法相比拟，由于四足状结构具有高的迁移率以及空间拓展性，相关的实验已经表明，这是一类非常适合作为受体材料用于有机-无机杂化太阳电池；将合成的CdSe纳米晶与P3HT等聚合物共混制成有机-无机太阳电池器件，研究了纳米晶与聚合物的配比浓度、热处理等对器件性能的影响，发现器件在120oC热处理一定时间，效率可以获得一定程度的提高，优化器件的能量转化水平超过1%，将纳米晶与其它高效红光聚合物复合制备光电池的工作仍在进行中。结合实验数据以及最新的文献报导,对此类纳米晶的生长机制以及物理学特性进行了详尽的探讨和分析。2、由于CdTe纳米晶中，纤维锌矿和闪锌矿晶格的内聚能之差要大于CdSe纳米晶，因而更易于通过控制反应条件来实现纳米晶的结构调控，根据我们的文献调研，与CdSe相比，具有各向异性形貌（包括棒状、四足状、多足状等）的CdTe纳米晶也更容易获得，我们采用上述的无配体溶剂热方法，通过选择合适镉前驱体、前驱体浓度、反应温度、反应时间等成功制备了一系列形貌尺寸可控的CdTe纳米晶，深入研究了形貌结构特性以及吸收、发光特性，结果表明：纳米晶的生长过程高度可控，加入适量的羧酸会抑制四足状纳米晶长度方向的生长；反应温度对形貌影响很大，温度较低，纳米晶长度较大，温度升高，纳米晶长度变短但是直径增加，在优化的反应条件下可以获得高选择性的四足状CdTe纳米晶，对纳米晶的生长机制进行了详尽的讨论。3、由于CdTe纳米晶具有大的光学吸收系数，合适的带隙宽度（约1.5eV），与太阳光谱非常匹配，非常适合于光电池的吸收层。我们选用合成的CdTe纳米晶，通过旋涂的方法，制备基于CdTe纳米晶的全无机太阳电池，取得了许多创新性的成果，我们制备的器件主要有：ITO/CdTe/Al（肖特基电池）、ITO/CdTe/ZnO/Al等结构的全无机纳米晶太阳电池，其中肖特基太阳电池器件性能优异，通过优化器件制备工艺，优化器件的在标准太阳光照射下，短路电流为17.56mA/cm2，开路电压0.52V，填充因子56.39%，相应的能量转换效率达到5.15%，超过文献报导的同样器件的水平。4、以Se、Te纳米线以及SexTe1-x合金纳米线为模板，通过化学液相合成法以及元素置换反应，合成了Ag2+δTe和Ag2+δTexSe1-x纳米晶，并研究了反应条件对其形貌结构特征的影响，发现由于不同材料晶格常数的差异，产物的形貌与模板材料有很大的区别，主要由破碎的颗粒状、棒状以及线状组成，制备了Ag2+δTe和Ag2+δTexSe1-x纳米晶薄膜器件，对其磁阻效应特性进行了表征。研究发现，Ag2+δTe和Ag2+δTexSe1-x纳米晶是一种很好的磁阻材料，其中，在约240K，Ag2.2Se0.2Te0.8纳米晶薄膜的磁阻变化率最高可达到68%，这对研究其在信息存储、相变存储等方面的应用有重要意义。
何莉莉[5]（2010）在《外电场作用下球抛物量子点中杂质性质的研究》文中提出在过去的十几年里,对纳米尺寸晶体材料的研究,已经发展成为一门多领域交叉的新兴学科。半导体量子点研究的开创可以追溯到20世纪70年代,随着量子点材料的制备技术的不断发展,量子点在光电子学、纳米电子学、生物医学、生命科学和量子计算等各个领域都得到了广泛的应用。由于在低维结构中载流子的运动在空间受到封闭性限制,从而使其有与三维块材料非常不同的物理性质和十分丰富的光学现象和效应。三维受限量子点的分离态密度函数的量子器件,以其独特优异的电学、光学性能和极低功耗,在纳米电子学、光电子学、生命科学和量子计算等领域有着极其广泛的应用前景,为此,人们迫切需要了解这类体系的电子、杂质等各方面的物理特性。采用光学方法研究量子点的特性是比较便捷的,如光整流、光吸收、折射率系数。大量研究均表明可以人工合成的低维半导体材料是非常理想的非线性光学材料之一。而随着体系尺寸和维度的减小,其非线性光学特性将更加明显,应用范围更加广泛。因此,低维半导体量子点中的非线性光学效应的研究也成为非线性光学领域中的一项重要内容。本论文由四章组成:第一章,为绪论部分。简单介绍了低维半导体材料,低维量子点的基本知识,并简要介绍论文的理论研究方法及其量子点的研究现状。第二章,主要研究外电场作用下的球形半导体量子点中的杂质态的束缚能及外电场作用下的球抛物量子点中的杂质态的振子强度。在有效质量近似情况下,分析微扰理论满足的强受限条件,采用量子力学简并微扰理论推导出能量,及其束缚能公式,获得一些杂质态的能谱、束缚能并加以讨论分析。讨论杂质态的振子强度随电场强度的变化情况。第三章,研究了外电场作用下的球抛物量子点中杂质对非线性光学吸收、折射率系数的影响。利用微扰理论,我们可以得到杂质系统的近似能量及其近似波函数,并且通过密度矩阵方法给出吸收系数和折射率系数的线性以及三阶非线性系数的表达式。本章节主要从理论上去探讨量子点的尺寸、电场强度、入射光场的光强以及驰豫时间对光学吸收系数的影响。第四章,总结全文的计算结果及研究结论,并作出展望。
池雅庆[6]（2009）在《基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管模型优化与实验制备研究》文中进行了进一步梳理单电子晶体管是一种利用量子隧穿效应和库仑阻塞效应工作的纳米电子器件,基本结构为一个或多个库仑岛通过隧穿势垒与源极和漏极连接,通过电容与栅极耦合。该器件具有纳米级器件尺寸和超低功耗等优点,被广泛认为是最有应用前景的纳米电子器件之一。单电子晶体管实用化的关键是实现室温下的正常工作和提高器件结构的可控性。本文提出了基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管,为解决上述关键问题探索了新途径。围绕基于有序介孔薄膜制备室温单电子晶体管这一核心创新的实现,本文在若干关键技术上进行了理论与技术创新,主要成果如下:第一,从甚小尺寸库仑岛的量子能级特性和库仑岛链的隧穿结构特征两方面出发,建立了甚小尺寸库仑岛单电子晶体管的半经典模型,优化了多岛单电子晶体管的半经典模型,并进一步建立了经验修正的多岛单电子晶体管半经典模型,为室温单电子晶体管的设计与模拟奠定了理论基础。第二,开发了三维六方结构和三维立方结构的金纳米粒子阵列与槽宽十纳米以下的纳米槽阵列的高质量低成本制备工艺,基于二氧化硅有序介孔薄膜,制备出高有序度且尺寸可控的库仑岛阵列、隧穿势垒和纳米槽阵列,为室温单电子晶体管和纳米阵列结构的制备奠定了工艺基础。第三,精确设计了基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管的结构,使隧穿结构完全由化学反应精确决定。开发了相应制备工艺,搭建了纳米电子器件的电学测试平台,制备并测试了基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管。结构表征、电学测试、参数提取与理论模拟结果均与结构设计完全一致,证实了器件的成功制备和基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管优化模型的正确性。
刘向芬[7]（2009）在《无水无氧条件下直链烷烃衍生物分子隧道结的制备及其电学性能研究》文中认为分子中电子的传输行为已成为分子电子学研究的重要课题。电极材料、环境、功能有机分子的自身结构及空间尺度等因素都影响着分子中电子的传输。采用毛细管隧道结法研究有机分子中的电子传输机理是分子器件研究的手段之一。本论文选用金属镓作电极材料,在真空手套箱中通过分子自组装方式制备了一系列的“镓-功能有机分子层-镓”毛细管分子隧道结。在排除氧和水的干扰条件下,开展了功能有机分子隧道结中电子传输行为的研究工作。在常温下,通过测试有机分子隧道结的电学性能,研究不同条件下分子隧道结的电子传输行为,探讨分子结构对分子隧道结电子传输特性的影响。利用前线轨道理论,研究了分子的最高占有轨道与最低空轨道之间的能带宽度（HLG）与单分子中电子传输行为之间的关系。通过对CnH2n+1X （n=10,12,14,16,18; X=OH, NH2）,C12H25Cl,C12H25Br和C12H24O2直链烷烃衍生物所构筑的分子隧道结的电子传输行为进行研究,发现在无水无氧条件下制备的分子隧道结的I-V曲线呈现出明显的非线性关系,其电子迁移较之大气条件下更容易发生,有机分子的分子链长和末端官能团对分子隧道结的电子传输特性也有影响。当末端官能团相同时,分子链越长,电子越容易在分子隧道结中传输。当主链结构相同时,末端官能团的电负性越大,电子越难在分子隧道结中发生迁移。此外,还研究了C6H4Cl2, C8H8Cl2, C6H4Br2和C8H8Br2有机分子所构筑的分子隧道结的电子传输行为。实验结果表明:在芳香烃衍生物的苯环两端增加亚甲基,使电子更容易发生迁移。理论计算的能带宽度值（HLG）与实验测得的能带宽度值的变化趋势是一致的。
许华胜[8]（2007）在《我国纳米材料产业化机制研究》文中研究说明笔者本科学习的是材料化学专业，在同济大学投资研究所就读研究生期间，作为主要成员参与了汉唐证券委托项目“新材料行业研究”和“振兴行动”教育计划——“高科技中小型企业数据库建设”等课题研究。在行业研究和企业调查过程中，特别是在对纳米材料产业调研过程中，引发了笔者对我国纳米材料产业化机制研究的深入思考，并将之作为本博士论文的研究题目。人类发展的历史本身就是一部材料发展的历史。一种新材料的出现，往往引起生产力的大发展。从石器、陶瓷器、青铜、铸铁、钢、塑料到形形色色新材料的出现，均标志着一个相应经济发展历史时期的到来；而每一次材料技术革命催生了一个强国的诞生。纳米材料的出现预示着一个新的纳米时代悄然来临。纳米时代的到来，对我国来说，既是一次机遇，更是挑战。我国纳米材料技术的基础研究水平与其他先进发达国家相比相差不大，有些方面甚至处于世界领先地位，但在产业化方面有一定差距，我们要避免重蹈计算机技术和超导技术的覆辙，利用这一轮技术革命实现我国经济振兴与腾飞的梦想。本文第一章导论首先界定和阐述研究对象，对相关概念进行了详细的分析，接着简要分析本研究的背景、目的和意义，提出研究思路和全文结构。第二章首先回顾了产业化机制研究相关的基础理论——创新理论和产业结构理论，接着对有关产业化机制方面的研究和纳米材料产业化国内外有关研究进行了比较详细地综述。科技进步推动产业结构的演进，技术创新的动力来源于技术推动或市场拉动或二者的结合，纳米材料技术及产业的发展是产业结构优化的一种途径，是纳米材料技术推动和市场拉动的结果，为纳米材料产业化提供了理论依据；产学研合作是纳米材料产业化的一种较好模式，我国在这方面需要加强和引导。第三章和第四章全面详实地研究国内外纳米材料产业现状及发展趋势，从研发、制备、市场和产业化四个方面对纳米材料产业作充分的研究论述，并对国内外纳米材料现状及发展趋势作比较研究，从中找出我国纳米材料产业化过程中的问题和不足：科研投入不足、科技转换介面不畅以及产业环境有待改善等。第五章和第六章分别对我国纳米材料产业化的动力机制和运行机制进行全面的研究分析，并与美日欧等纳米材料强国的纳米材料产业化的运行机制作比较，进一步剖析我国纳米材料产业化过程中的具体问题：以纳米材料企业为主体是技术创新运行机制尚未建立；人才机制不完善；融资机制不健全；技术转移机制不规范；政策法律法规需要改革创新。最后，选用ANP结构模型，构建我国纳米材料产业化评价指标体系并作评价。第七章是解决问题，在前几章研究的基础上，提出我国纳米材料产业化健康快速推进的对策措施并构建我国纳米材料产业化机制模型。全文最后对本研究进行了总结，并指出不足之处和进一步研究方向。本论文具有以下创新之处：1)对我国纳米材料产业化的动力机制和运行机制进行了详尽的研究，剖析纳米材料产业化中的深层次问题。据文献搜索，尚属首次；2)构建我国纳米材料产业化水平评价指标体系，引进网络分析法（ANP）并做实证研究。据文献搜索，尚属首次；3)经过理论和实证研究，构建我国纳米材料产业化机制模型及其子模型，提出我国纳米材料产业化的对策措施，以期有助于我国纳米材料产业化的健康进行。据文献搜索，尚属首次；4)从研发、制备、市场和产业化四个角度对国内外纳米材料产业现状及发展趋势进行全面地研究，并做比较研究，有助于对整个纳米材料产业的全面了解。据文献搜索，尚属首次。
魏璐璐[9]（2006）在《纳米技术的哲学思考》文中研究表明纳米技术被誉为“21世纪三大科技”之一。2000年3月,美国总统克林顿向国会发布了关于美国纳米技术促进计划,标题是《纳米技术:要引发下一场工业革命》。这个报告一发布,立即在全世界引起强烈反响。接着,中国、日本、欧洲各国都纷纷布置,其他一些发展中国家也把发展纳米技术作为极其重要战略决策来进行实施。 纳米技术从其设想上就具有无与伦比的优越性,而且已经逐步被科学实践所证明。当然,目前的纳米技术研究仍然处于起步阶段,大部分的研究仍然处于理论和实验室阶段,但仅有的一点实用纳米技术已经显示出了纳米技术的巨大潜力。纳米技术给人类带来的不仅仅是一场技术上的变革,更是一场产业革命。与此同时,纳米技术也带来了一些危害,其风险性也被广泛关注。如何正确的解读纳米技术,纳米技术又对科技哲学产生了什么样的影响,怎样使纳米技术更符合人类的可持续发展,这正是本课题研究的目的与意义所在。 本文分为三个部分。首先从纳米技术的思想来源出发,对纳米技术发展的历史及现状进行分析,就目前纳米技术基本概念不统一的问题进行分析,明确本文中纳米技术的基本内涵与外延。 第二部分对目前纳米技术研究及今后发展的四个主要热点进行分析和讨论,并进一步论证各个方面之间的联系,在最后简单介绍一下纳米技术在其他方面的发展。 第三部分从前面的资料与分析出发,对纳米技术带来的问题进行哲学思考。并对人们已经提出的一些关于纳米技术的负面影响进行分析。在此基础上提出对纳米技术的发展应该进行人为的干预,并指出一些具体的措施使纳米技术能够更符合人类社会的利益。
徐鹏[10]（2006）在《超临界水解制备金属氧化物微粒的实验研究》文中指出纳米材料是20世纪80年代初发展起来的新材料,它具有奇特的性能和广阔的应用前景,引起了科学界和企业界的极大关注。作为金属陶瓷重要组成部分的金属氧化物微粒,在制备工艺上得到了很大的发展,实验室制备方法更是多种多样。本文利用一种新的制备工艺,即超临界水解制备金属氧化物微粒过程,进行了金属氧化物微粒制备的实验研究,考察了各过程参数对金属氧化物微粒粒径的影响规律。 本文在原有超临界萃取装置的基础上进行了改造和调整,添加了一系列的管路和阀门,添加了自行设计的收集装置和干燥过滤装置,在必要的地方添加了高压质量流量计等设备,使装置既能够满足本文实验要求,又节省了资源,实现了设备的多功能性。同时使实验压力、系统总流量、支路流量比和实验温度等四个过程参数便于控制和测量,设备更加容易操作。 本文利用钛酸异丙酯作为水解反应原料,进行了超临界水解制备金属氧化物微粒过程的实验研究,成功制备出了最小平均粒径为31.6nm的TiO2微粒产品。在成功制备TiO2微粒的启发下,本文积极尝试制备其他金属氧化物微粒。最终,利用异丙醇铝和锆酸四丁酯（四丁基氧基锆）进行了微粒制备的实验研究,成功制备出了ZrO2和Al2O3微粒。 利用XRD、SEM和激光粒度分析仪等仪器对实验制备的TiO2、Al2O3和ZrO2微粒进行表征,获得了比较满意的结果。 在实验所选择的范围内,考察了各过程参数对产品微粒粒径的影响。实验压力的增大会导致微粒粒径的增大;系统总流量的增大会使微粒粒径减小;支路流量比的变化对微粒粒径的影响不明显;实验温度的升高会导致微粒粒径的增大。实验压力、系统总流量和实验温度是影响微粒粒径的关键因素。 通过本文的实验研究,对超临界水解制备金属氧化物微粒过程有了较深的认识,同时了解了各过程参数对微粒粒径的基本影响规律,为以后的理论研究提供了必要的基础性数据,同时也为制备金属氧化物微粒的研究提供了研究方向。
二、我国纳米电子学应用研究又有新进展（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、我国纳米电子学应用研究又有新进展（论文提纲范文）
（1）基于Ⅳ族元素的二维材料的理论设计与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 专用术语注释表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 纳米电子学与纳米材料 |
| 1.1.1 纳米电子学的发展与应用 |
| 1.1.2 纳米材料的结构与特性 |
| 1.2 二维纳米材料的研究进展 |
| 1.2.1 二维纳米材料概述 |
| 1.2.2 二维纳米材料的研究现状 |
| 1.3 本文研究内容概述 |
| 第二章 理论基础与计算方法 |
| 2.1 密度泛函理论 |
| 2.1.1 薛定谔方程 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 |
| 2.1.3 Kohn-Sham定理 |
| 2.1.4 交换关联近似 |
| 2.2 几何结构和电子结构计算 |
| 2.2.1 几何优化工作 |
| 2.2.2 载流子迁移率 |
| 2.3 计算软件 |
| 2.3.1 CASTEP |
| 2.3.2 DMOL~3 |
| 第三章 二维CS的结构与性质研究 |
| 3.1 单层CS的结构特征 |
| 3.2 单层CS的稳定性判据 |
| 3.2.1 结合能的计算与分析 |
| 3.2.2 声子谱、拉曼谱的计算与分析 |
| 3.2.3 分子动力学模拟 |
| 3.2.4 力学稳定性准则 |
| 3.3 单层CS的电子性质 |
| 3.3.1 单层CS的能带结构 |
| 3.3.2 单层CS的载流子迁移率 |
| 3.3.3 单轴应力调控CS的能带结构 |
| 3.4 双层CS结构的电子特性 |
| 3.5 基于石墨烯为衬底的单层CS结构的特性研究 |
| 3.6 少层CS的光催化和光学特性研究 |
| 3.7 水吸附在单层CS结构特性研究 |
| 3.8 本章小结 |
| 第四章 二维SnP_3的结构与性质研究 |
| 4.1 体相SnP_3的结构与特性 |
| 4.1.1 体相SnP_3的结构与电子特性 |
| 4.1.2 体相SnP_3的分离能 |
| 4.2 单层SnP_3结构特征 |
| 4.3 单层SnP_3稳定性判据 |
| 4.3.1 结合能的计算与分析 |
| 4.3.2 声子谱的计算与分析 |
| 4.3.3 分子动力学模拟 |
| 4.4 单层SnP_3的电学、光学特性 |
| 4.4.1 单层SnP_3的能带结构 |
| 4.4.2 单层SnP_3的载流子迁移率 |
| 4.4.3 双轴应力调控单层SnP-3的能带 |
| 4.4.4 单层SnP_3的光吸收特性 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 二维GeI_2的结构与性质研究 |
| 5.1 体相GeI_2的结构与性质 |
| 5.1.1 体相GeI_2的结构与电学性质 |
| 5.1.2 体相GeI_2的分离能 |
| 5.2 单层GeI_2的结构特征 |
| 5.3 单层GeI_2的稳定性判据 |
| 5.3.1 结合能的计算与分析 |
| 5.3.2 声子谱的计算与分析 |
| 5.3.3 分子动力学模拟 |
| 5.4 单层GeI_2的光电性质 |
| 5.4.1 单层GeI_2的能带结构 |
| 5.4.2 单层GeI_2的光学性质 |
| 5.4.3 单层GeI_2的载流子迁移率 |
| 5.5 基于H修饰单层GeI_2特性研究 |
| 5.5.1 H修饰单层GeI_2的结构特性 |
| 5.5.2 H修饰单层GeI_2的电子特性 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 |
| 致谢 |
（2）中国物理学院士群体计量研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 绪论 |
| 一、文献综述 |
| 二、论文选题和研究内容 |
| 三、研究的创新与不足 |
| 第一章 中国物理学院士的产生与本土化 |
| 1.1 民国时期中国物理学院士的产生 |
| 1.1.1 国民政府中央研究院推选产生中国第一届物理学院士 |
| 1.1.2 国立北平研究院推选出与“院士”资格相当的物理学会员 |
| 1.2 当代中国物理学院士的本土化 |
| 1.2.1 中国科学院推选产生物理学学部委员 |
| 1.2.2 中国科学院物理学院士与中国工程院物理学院士的发展 |
| 1.3 其他国家和国际组织的华裔物理学院士 |
| 1.4 中国物理学院士名单与增选趋势分析 |
| 1.4.1 中国物理学院士的名单汇总 |
| 1.4.2 中国本土物理学院士总体增选趋势 |
| 第二章 中国物理学院士总体特征的计量分析 |
| 2.1 中国物理学院士基本情况的计量分析 |
| 2.1.1 女性物理学院士占比较低 |
| 2.1.2 院士整体老龄化问题严重 |
| 2.1.3 出生地域集中于东南沿海地区 |
| 2.2 中国物理学院士教育经历的计量分析 |
| 2.2.1 学士学位结构 |
| 2.2.2 硕士学位结构 |
| 2.2.3 博士学位结构 |
| 2.3 中国物理学院士归国工作情况的计量分析 |
| 2.3.1 留学物理学院士的归国年代趋势 |
| 2.3.2 国内工作单位的“集聚性”较强 |
| 2.3.3 物理学院士的国外工作单位 |
| 2.4 中国物理学院士从事物理学分支交叉学科的计量分析 |
| 2.4.1 物理学院士从事分支交叉学科的归类统计 |
| 2.4.2 物理学院士获得国际科技奖励的计量分析 |
| 2.4.3 物理学院士获得国内科技奖励的计量分析 |
| 第三章 中国理论物理学院士群体的计量分析 |
| 3.1 中国理论物理学院士基本情况的计量分析 |
| 3.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“51-60 岁” |
| 3.1.2 博士占比52.83%,地方高校理论物理教育水平有所提高 |
| 3.2 中国理论物理学院士研究领域的计量分析 |
| 3.2.1 主要分布于凝聚态理论和纯理论物理等领域 |
| 3.2.2 20 世纪后半叶当选的理论物理学院士内师承关系显着 |
| 3.3 中国理论物理学院士的发展趋势分析 |
| 3.3.1 理论物理学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 3.3.2 理论物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 中国凝聚态物理学院士群体的计量分析 |
| 4.1 中国凝聚态物理学院士基本情况的计量分析 |
| 4.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“51—60 岁” |
| 4.1.2 博士占比57.83%,国外博士学位占比将近80% |
| 4.1.3 女性物理学院士在凝聚态物理领域崭露头角 |
| 4.2 中国凝聚态物理学院士研究领域的计量分析 |
| 4.2.1 主要分布于半导体物理学、晶体学和超导物理学等领域 |
| 4.2.2 凝聚态物理学的一些传统研究领域内师承关系显着 |
| 4.2.3 凝聚态物理学院士集聚于若干研究中心 |
| 4.3 中国凝聚态物理学院士的发展趋势分析 |
| 4.3.1 凝聚态物理学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 4.3.2 凝聚态物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 中国光学院士群体的计量分析 |
| 5.1 中国光学院士基本情况的计量分析 |
| 5.1.1 存在老龄化问题,当选年龄集中于“61—70 岁” |
| 5.1.2 博士占比54.84%,本土培养的光学博士逐渐增多 |
| 5.2 中国光学院士研究领域的计量分析 |
| 5.2.1 研究领域集中分布于应用物理学和激光物理学 |
| 5.2.2 光学院士工作单位的“集聚性”较强 |
| 5.3 光学院士的发展趋势分析 |
| 5.3.1 光学院士的增选总体呈上升趋势 |
| 5.3.2 光学院士研究领域的发展趋势 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 中国高能物理学院士群体的计量分析 |
| 6.1 中国高能物理学院士基本情况的计量分析 |
| 6.1.1 老龄化问题严重,当选年龄集中于“51—60 岁” |
| 6.1.2 博士占比53.85%,国外博士学位占比超过85% |
| 6.2 中国高能物理学院士研究领域的计量分析 |
| 6.2.1 高能物理实验与基本粒子物理学分布较均衡 |
| 6.2.2 高能物理学院士的工作单位集聚性与分散性并存 |
| 6.3 中国高能物理学院士的发展趋势分析 |
| 6.3.1 高能物理学院士的增选总体呈平稳趋势 |
| 6.3.2 高能物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 6.4 小结 |
| 第七章 中国原子核物理学院士群体的计量分析 |
| 7.1 中国原子核物理学学院士基本情况的计量分析 |
| 7.1.1 老龄化问题严重,80 岁以下院士仅有3 人 |
| 7.1.2 博士占比48.84%,国外博士学位占比超过95% |
| 7.1.3 女性院士在原子核物理学领域的杰出贡献 |
| 7.2 中国原子核物理学院士研究领域的计量分析 |
| 7.2.1 原子核物理学院士在各研究领域的分布情况 |
| 7.2.2 参与“两弹”研制的院士内部师承关系显着 |
| 7.3 中国原子核物理学院士的发展趋势分析 |
| 7.3.1 原子核物理学院士的增选总体呈下降趋势 |
| 7.3.2 原子核物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 7.4 小结 |
| 第八章 其他物理学分支和部分交叉学科院士群体的计量分析 |
| 8.1 中国天体物理学院士群体的计量分析 |
| 8.1.1 天体物理学院士本土培养特征明显 |
| 8.1.2 天体物理学院士的增选总体呈平稳上升趋势 |
| 8.1.3 天体物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.2 中国生物物理学院士群体的计量分析 |
| 8.2.1 群体年龄较小,当选年龄集中于“41—50 岁” |
| 8.2.2 生物物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.3 中国工程热物理院士群体的计量分析 |
| 8.3.1 工程热物理院士内部师承关系十分显着 |
| 8.3.2 工程热物理院士研究领域的发展趋势 |
| 8.4 中国地球物理学院士群体的计量分析 |
| 8.4.1 主要分布于固体地球物理学和空间物理学研究领域 |
| 8.4.2 地球物理学院士研究领域的发展趋势 |
| 8.5 部分分支交叉学科院士群体的计量分析 |
| 8.5.1 电子物理学和声学院士的增选呈下降趋势 |
| 8.5.2 中国物理力学由应用走向理论 |
| 8.5.3 中国量子信息科技呈迅速崛起之势 |
| 第九章 中国物理学院士计量分析的比较研究和趋势分析 |
| 9.1 各分支交叉学科间物理学院士基本情况的比较研究 |
| 9.1.1 一些新兴研究领域物理学院士年轻化趋势明显 |
| 9.1.2 21世纪以来本土培养的物理学院士占比一半以上 |
| 9.1.3 女性物理学院士在实验物理领域分布较多 |
| 9.2 中国物理学院士研究领域的发展趋势分析 |
| 9.2.1 各分支交叉学科内的横向发展趋势分析 |
| 9.2.2 各分支交叉学科的纵向年代发展趋势分析 |
| 9.3 中国物理学院士代际演化的趋势分析 |
| 9.3.1 第一代物理学院士初步完成了中国物理学的建制 |
| 9.3.2 第二代物理学院士完成了中国物理学主要分支学科的奠基 |
| 9.3.3 第三代物理学院士在国防科技和物理学科拓展中有着突出贡献 |
| 9.3.4 第四代物理学院士在推进物理学深入发展方面贡献较大 |
| 9.3.5 新一代物理学院士科技成果的国际影响力显着增强 |
| 第十章 中国物理学院士的群体结构特征和发展趋势特征 |
| 10.1 中国物理学院士的群体结构特征 |
| 10.1.1 整体老龄化问题严重,但年轻化趋向较为明显 |
| 10.1.2 整体学历水平较高,本土培养物理学精英的能力增强 |
| 10.1.3 女性物理学院士占比较低,但科技贡献突出 |
| 10.1.4 空间结构“集聚性”较强,但近些年“集聚性”逐渐被打破 |
| 10.2 中国物理学院士研究领域发展的趋势特征 |
| 10.2.1 物理学科中交叉性较强的研究领域具有极大的发展潜力 |
| 10.2.2 物理学科中应用性较强的研究领域产业化趋势明显 |
| 10.2.3 当代物理学的发展与科研实验设施的关系越发紧密 |
| 10.3 中国物理学院士代际演化的趋势特征 |
| 10.3.1 新中国成立初期国家需求导向下的相关物理学科迅猛发展 |
| 10.3.2 20世纪80 年代以来院士研究兴趣与国家支持政策相得益彰 |
| 10.3.3 21世纪以来院士个体对学科发展的主导作用越来越大 |
| 第十一章 中国物理学院士群体的成长路径 |
| 11.1 影响中国物理学院士成长的宏观要素 |
| 11.1.1 社会时代发展大背景的影响一直存在 |
| 11.1.2 国家发展战略需求导向要素有所减弱 |
| 11.1.3 国家科技管理制度的要素影响有所增强 |
| 11.1.4 中国传统文化对物理学院士潜移默化的影响 |
| 11.2 影响中国物理学院士成长的中观要素 |
| 11.2.1 物理学学科前沿发展需求的导向要素显着增强 |
| 11.2.2 空间结构“集聚性”的影响逐渐在减弱 |
| 11.2.3 师承关系的影响主要体现于学科延承方面 |
| 11.3 影响中国物理学院士成长的微观要素 |
| 11.3.1 性别差异对物理学家社会分层的影响很弱 |
| 11.3.2 年龄要素对物理学院士成长具有一定的影响 |
| 11.3.3 个人研究兴趣对物理学院士的成长影响增强 |
| 11.4 结语与展望 |
| 附录 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 个人简况及联系方式 |
（3）典型二维非碳材料的甲醛气体吸附行为的第一性原理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| §1.1 研究背景及意义 |
| §1.2 气体传感器的基本原理 |
| §1.3 半导体气体传感器敏感材料—二维材料 |
| §1.3.1 二维材料在半导体气体传感器中的优越性 |
| §1.3.2 二维材料作为半导体气体传感器敏感材料的性能要求 |
| §1.4 二维材料作为半导体气体传感器敏感材料的研究现状 |
| §1.5 本文的研究内容及创新点 |
| 第二章 理论基础和研究方法 |
| §2.1 计算材料学的意义 |
| §2.2 第一性原理研究方法的理论基础 |
| §2.2.1 薛定谔方程 |
| §2.2.2 密度泛函理论 |
| §2.2.3 局域密度近似 |
| §2.2.4 广义梯度近似 |
| §2.3 第一性原理计算软件包 |
| 第三章 二维材料的研究背景介绍 |
| §3.1 单层石墨烯的发现 |
| §3.2 单层penta-BP5的研究背景 |
| §3.3 单层BN、AlN、GaN、InN、BP和P的研究背景 |
| §3.3.1 单层BN |
| §3.3.2 单层AlN |
| §3.3.3 单层GaN |
| §3.3.4 单层InN |
| §3.3.5 单层BP |
| §3.3.6 单层P |
| §3.4 第一性原理研究方法在二维材料研究中的重要作用 |
| 第四章 基于第一性原理的单层penta-BP_5多种气体吸附行为的研究 |
| §4.1 引言 |
| §4.2 理论与计算方法 |
| §4.3 单层penta-BP_5的吸附模型建立 |
| §4.4 计算结果分析 |
| §4.4.1 气体吸附行为基本数据分析 |
| §4.4.2 吸附结构稳定性 |
| §4.4.3 能带结构和态密度 |
| §4.5 本章小结 |
| 第五章 甲醛小分子在单层BN, AlN, GaN, InN, BP和P表面吸附行为的研究 |
| §5.1 引言 |
| §5.2 理论与计算方法 |
| §5.2.1 多种二维材料模型建立 |
| §5.2.2 气体吸附模型建立及参数设置 |
| §5.3 计算结果分析 |
| §5.3.1 吸附能、电荷转移量和吸附距离等基本数据分析 |
| §5.3.2 能带结构和态密度 |
| §5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| §6.1 总结 |
| §6.2 下一步研究工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的科研成果 |
（4）硫族半导体纳米晶的可控合成及光电性能应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 纳米科技及纳米材料的基本概念 |
| 1.2 纳米科技发展的现状 |
| 1.3 纳米材料的特殊性质 |
| 1.3.1 量子尺寸效应 |
| 1.3.2 表面效应 |
| 1.3.3 小尺寸效应 |
| 1.3.4 体积效应 |
| 1.3.5 宏观量子隧道效应 |
| 1.4 纳米晶的主要表征手段 |
| 1.4.1 尺度测量 |
| 1.4.2 表面及微观结构分析 |
| 1.4.3 化学成分及宏观性质分析 |
| 1.5 纳米材料的主要合成方法研究进展 |
| 1.5.1 水热法和溶剂热法 |
| 1.5.2 单源有机配合物前驱体热解法 |
| 1.5.3 有机金属/无机非金属前驱体高温分解法 |
| 1.6 半导体纳米晶在光电领域的应用研究概述 |
| 1.6.1 半导体纳米晶/共轭聚合物有机-无机杂化太阳光电池研究进展 |
| 1.6.2 半导体纳米晶染料敏化太阳光电池研究进展 |
| 1.6.3 全无机纳米晶太阳能电池研究进展 |
| 1.7 本文的主要研究成果和创新点 |
| 第二章 溶剂热法制备 CdSe 纳米晶及光电性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 CdSe 纳米晶的制备研究进展 |
| 2.2.1 镉源--Me2Cd |
| 2.2.2 镉源--有机金属配合物 |
| 2.2.3 镉源--含镉的无机酸盐 |
| 2.2.4 镉源--CdO |
| 2.2.5 镉源--元素 Cd 粉 |
| 2.2.6 镉源--含镉的脂肪酸盐和芳香酸盐 |
| 2.3 CdSe 纳米晶的生长机理 |
| 2.4 实验部分 |
| 2.4.1 原料与试剂 |
| 2.4.2 长链羧酸镉盐前躯体的合成 |
| 2.4.3 CdSe 纳米晶的合成 |
| 2.4.4 产物后处理 |
| 2.4.5 测试与表征 |
| 2.5 结果与讨论 |
| 2.5.1 CdSe 纳米晶的形貌与晶体结构 |
| 2.5.2 CdSe 纳米晶的光学性质与生长动力学过程 |
| 2.5.3 CdSe 纳米晶的动力学生长机理探讨 |
| 2.5.4 不同镉前驱体对 CdSe 纳米晶形貌结构的影响 |
| 2.5.5 十四酸浓度对 CdSe 纳米晶形貌结构的影响 |
| 2.5.6 不同镉前驱体中引入十四酸对 CdSe 纳米晶形貌的影响 |
| 2.5.7 CdSe/聚合物有机无机杂化型太阳能电池 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 溶剂热法制备 CdTe 纳米晶及其光学性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 CdTe 纳米晶的制备研究进展 |
| 3.2.1 有机相合成法 |
| 3.2.2 反相微胶束法 |
| 3.2.3 水相合成法 |
| 3.3 实验部分 |
| 3.3.1 原料与试剂 |
| 3.3.2 CdTe 纳米晶的合成 |
| 3.3.3 产物后处理 |
| 3.3.4 测试与表征 |
| 3.4 结果与讨论 |
| 3.4.1 反应温度对 CdTe 纳米晶尺寸与形貌的影响 |
| 3.4.2 不同链长的镉前驱体对 CdTe 纳米晶尺寸与形貌的影响 |
| 3.4.3 十四酸浓度对 CdTe 纳米晶尺寸与形貌的影响 |
| 3.4.4 CdTe 纳米晶的晶体结构 |
| 3.4.5 CdTe 纳米晶动力学生长过程 |
| 3.4.6 CdTe 纳米晶的生长机制初探 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 CdTe 纳米晶全无机太阳能电池 |
| 4.1 多晶薄膜 CdTe 材料与 CdTe 基(CdTe/CdS)太阳电池 |
| 4.1.1 CdTe 薄膜制备方法及其优缺点评价 |
| 4.1.2 光学特性 |
| 4.1.3 电学特性 |
| 4.1.4 高效多元化合物叠层多结太阳电池 |
| 4.1.5 环境与安全 |
| 4.1.6 新型全无机 CdTe 纳米晶薄膜太阳能电池 |
| 4.2 CdTe 纳米晶太阳能电池器件的制备及其光电性能测试 |
| 4.2.1 ITO 导电玻璃清洗 |
| 4.2.2 氧气 Plasma |
| 4.2.3 活性层的制备工艺 |
| 4.2.4 蒸镀铝电极 |
| 4.2.5 器件封装 |
| 4.3 CdTe 纳米晶肖特基太阳能电池器件的光电性能测试 |
| 4.3.1 CdCl2化学处理对 CdTe 薄膜的影响 |
| 4.3.2 肖特基太阳能电池的电流-电压特性曲线 |
| 4.4 CdTe-ZnO 异质结太阳能电池器件的光电性能测试 |
| 4.4.1 CdTe-ZnO 异质结太阳能电池的电流-电压特性曲线 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 以 VI 族元素纳米晶为模板合成硫族合金半导体纳米晶及物理特性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 原料与试剂 |
| 5.2.2 SexTe1-x合金纳米线的合成 |
| 5.2.3 Ag2+δTexSe1-x合金纳米线的合成 |
| 5.2.4 测试与表征 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 Ag2+δTexSe1-x纳米晶的形貌与晶体结构研究 |
| 5.3.2 Ag2+δTexSe1-x纳米晶薄膜的磁阻效应测试 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（5）外电场作用下球抛物量子点中杂质性质的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 纳米半导体材料 |
| 1.2.1 低维半导体的能态 |
| 1.2.2 低维半导体的研究进展 |
| 1.3 量子点 |
| 1.3.1 量子点的基本性质 |
| 1.3.2 量子点的制备 |
| 1.3.3 量子点的应用 |
| 1.4 研究方法 |
| 1.5 研究内容 |
| 第二章 电场作用下球量子点中杂质态的能级及振子强度 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 球形量子点中的杂质态 |
| 2.3 理论研究方法 |
| 2.3.1 微扰方法 |
| 2.4 结果与讨论 |
| 2.4.1 杂质态能级误差 |
| 2.4.2 杂质态束缚能 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 电场作用下球量子点中杂质态的三阶非线性吸收和折射率性质 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 理论计算 |
| 3.3 结果和讨论 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 总结 |
| 4.1 总结 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 |
| 致谢 |
（6）基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管模型优化与实验制备研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 纳米科技、纳米电子学和单电子学 |
| 1.1.1 纳米科技 |
| 1.1.2 纳米电子学 |
| 1.1.3 单电子学 |
| 1.2 单电子晶体管 |
| 1.2.1 单电子晶体管概述 |
| 1.2.2 单电子晶体管的工作原理 |
| 1.2.3 单电子晶体管的理论模型 |
| 1.2.4 单电子晶体管的制备技术 |
| 1.3 本论文的研究意义和研究内容 |
| 第二章 基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管模型优化 |
| 2.1 甚小尺寸库仑岛单电子晶体管的半经典模型优化 |
| 2.1.1 金纳米粒子的电子能级 |
| 2.1.2 电流模型 |
| 2.1.3 模型验证与分析 |
| 2.2 多岛单电子晶体管的半经典模型优化 |
| 2.2.1 各库仑岛净电荷数估计 |
| 2.2.2 漏源电流计算 |
| 2.2.3 模型验证与分析 |
| 2.3 多岛单电子晶体管半经典模型的经验优化 |
| 2.3.1 经验优化 |
| 2.3.2 模型验证与分析 |
| 2.4 小结 |
| 第三章 二氧化硅有序介孔薄膜的制备与金纳米粒子组装 |
| 3.1 二氧化硅有序介孔薄膜 |
| 3.1.1 二氧化硅有序介孔薄膜概述 |
| 3.1.2 二氧化硅有序介孔薄膜的结构 |
| 3.1.3 二氧化硅有序介孔薄膜的合成方法 |
| 3.1.4 二氧化硅有序介孔薄膜的合成机理 |
| 3.1.5 二氧化硅有序介孔薄膜的功能化 |
| 3.1.6 客体分子在二氧化硅有序介孔薄膜中的组装 |
| 3.2 金纳米粒子阵列/二氧化硅有序介孔复合薄膜 |
| 3.2.1 基片准备 |
| 3.2.2 氨基功能化二氧化硅有序介孔薄膜的制备 |
| 3.2.3 金纳米粒子在氨基功能化二氧化硅有序介孔薄膜中的自组装 |
| 3.2.4 金纳米粒子阵列/二氧化硅有序介孔复合薄膜的表征与分析 |
| 3.3 基于二氧化硅有序介孔薄膜的纳米槽阵列 |
| 3.3.1 纳米槽阵列制备技术概述 |
| 3.3.2 纳米槽阵列制备 |
| 3.3.3 纳米槽阵列表征与分析 |
| 3.4 小结 |
| 第四章 基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管制备与分析 |
| 4.1 基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管的结构设计 |
| 4.1.1 总体结构设计 |
| 4.1.2 一维库仑岛链的隧穿结构 |
| 4.1.3 三维六方结构库仑岛阵列的隧穿结构 |
| 4.2 基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管的制备工艺 |
| 4.2.1 库仑岛阵列的制备 |
| 4.2.2 焊盘和微米级导线的制备 |
| 4.2.3 纳米级导线的制备 |
| 4.3 基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管的特性分析 |
| 4.3.1 基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管的结构表征与分析 |
| 4.3.2 基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管的电学特性测试与分析 |
| 4.3.3 基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管的电学参数提取 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
| 附录A 器件制备使用的主要试剂 |
| 附录B 器件分析制备、表征和测试仪器 |
（7）无水无氧条件下直链烷烃衍生物分子隧道结的制备及其电学性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 纳米电子学 |
| 1.1.1 纳米电子学简介 |
| 1.1.2 纳米器件 |
| 1.1.3 纳米电子学的发展趋势 |
| 1.2 分子器件 |
| 1.2.1 分子器件定义 |
| 1.2.2 分子器件的研究目标 |
| 1.2.3 分子器件的加工技术 |
| 1.2.4 分子器件的优势 |
| 1.2.5 分子器件研究现状 |
| 1.2.6 分子器件发展趋势 |
| 1.3 分子隧道结 |
| 1.3.1 分子隧道结的构筑 |
| 1.3.2 分子隧道结电子迁移行为的研究 |
| 1.3.3 分子隧道结的输运理论 |
| 1.4 理论计算 |
| 1.4.1 基本理论与方法 |
| 1.4.2 计算软件 |
| 1.4.3 基组的影响 |
| 1.5 本论文研究的目的与意义 |
| 第二章 实验材料与方法 |
| 2.1 实验材料 |
| 2.1.1 材料 |
| 2.1.2 有机分子 |
| 2.1.3 溶剂 |
| 2.2 实验仪器与设备 |
| 2.3 实验方法 |
| 2.3.1 毛细管分子隧道结的制备方法 |
| 2.3.2 分子隧道结电学性能的测试 |
| 2.4 理论计算 |
| 2.4.1 计算内容 |
| 2.4.2 计算方法 |
| 2.4.3 计算基组 |
| 第三章 结果与讨论 |
| 3.1 不同功能有机分子电子传输行为的实验研究 |
| 3.1.1 分子隧道结能带宽度值的测量方法 |
| 3.1.2 各功能有机分子的I-V 曲线和dI/dV-V 曲线图 |
| 3.1.3 不同化合物的能带宽度值 |
| 3.2 不同功能有机分子电子传输行为的理论研究 |
| 3.2.1 创建单个功能有机分子输入文件 |
| 3.2.2 单个功能有机分子的HLG 值计算结果 |
| 3.3 研究结果分析与讨论 |
| 3.3.1 环境对直链烷烃衍生物分子隧道结电子传输性能的影响 |
| 3.3.2 分子链长对烷基醇分子隧道结电子传输性能的影响 |
| 3.3.3 分子链长对烷基胺分子隧道结电子传输性能的影响 |
| 3.3.4 末端官能团对长链分子隧道结电子传输性能的影响 |
| 3.3.5 亚甲基对含苯环化合物分子隧道结电子传输性能的影响 |
| 第四章 结论 |
| 参考文献 |
| 附录1:常用名词缩写 |
| 附录2:硕士研究生期间发表的论文 |
| 致谢 |
（8）我国纳米材料产业化机制研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 导论 |
| 1.1 研究对象 |
| 1.1.1 纳米和纳米技术 |
| 1.1.2 纳米材料和纳米材料产业 |
| 1.1.3 纳米材料产业化和产业化机制 |
| 1.2 研究设计 |
| 1.2.1 研究背景 |
| 1.2.2 研究目的和意义 |
| 1.2.3 研究思路和全文结构 |
| 第二章 文献回顾 |
| 2.1 创新理论及相关研究综述 |
| 2.1.1 创新理论回顾 |
| 2.1.2 创新概念的界定 |
| 2.1.3 创新的本质特征 |
| 2.1.4 创新的环境和动力模式 |
| 2.1.5 创新的激励 |
| 2.2 产业结构理论及相关研究综述 |
| 2.2.1 产业结构的涵义 |
| 2.2.2 产业结构理论的产生 |
| 2.2.3 产业结构的演进动因 |
| 2.3 有关产业化机制方面的研究综述 |
| 2.3.1 有关产业化模式方面的研究 |
| 2.3.2 有关产业化动力机制方面的研究 |
| 2.3.3 有关产业化运行机制方面的研究 |
| 2.4 纳米材料产业化有关研究综述 |
| 2.4.1 纳米材料产业化现状方面的研究 |
| 2.4.2 纳米材料产业化问题和对策方面的研究 |
| 2.4.3 纳米材料产业化其他相关方面的研究 |
| 本章小结 |
| 第三章 国外纳米材料产业现状及发展趋势研究 |
| 3.1 国外纳米材料研发现状及发展趋势 |
| 3.2 国外纳米材料制备现状及发展趋势 |
| 3.3 国外纳米材料市场现状及发展趋势 |
| 3.4 国外纳米材料产业化现状及发展趋势 |
| 本章小结 |
| 第四章 我国纳米材料产业现状和发展趋势研究 |
| 4.1 我国纳米材料研发现状 |
| 4.2 我国纳米材料制备现状 |
| 4.3 我国纳米材料市场现状 |
| 4.4 我国纳米材料产业化现状 |
| 4.5 我国纳米材料产业发展趋势 |
| 4.6 国内外纳米材料产业化现状及发展趋势的比较 |
| 本章小结 |
| 第五章 我国纳米材料产业化的动力机制研究 |
| 5.1 我国纳米材料产业化的外部动力研究 |
| 5.1.1 纳米材料技术发展是其产业化的重要推动力 |
| 5.1.2 市场需求是纳米材料产业化的重要拉动力 |
| 5.1.3 技术推动和市场需求拉动的合力及相互关系 |
| 5.1.4 国家的宏观政策和经济环境的引导推动与保障作用 |
| 5.1.5 国际竞争是一种重要推动力 |
| 5.2 我国纳米材料产业化的内在动力研究 |
| 5.2.1 纳米材料产业化过程的创新特征 |
| 5.2.2 纳米材料产业化过程中的技术创新 |
| 5.2.3 纳米材料产业化过程中的制度创新 |
| 5.2.4 纳米材料产业化过程中的金融创新 |
| 5.3 我国纳米材料产业化动力系统研究 |
| 5.3.1 纳米材料产业化动力系统 |
| 5.3.2 内部动力系统主体结构——"三套车"模式 |
| 本章小结 |
| 第六章 我国纳米材料产业化的运行机制研究 |
| 6.1 我国纳米材料产业化的技术创新机制研究 |
| 6.1.1 以纳米材料企业为主体是技术创新运行机制的根本 |
| 6.1.2 官产学的有机结合是技术创新运行机制的运行保障 |
| 6.1.3 技术引进缺乏必要的调控消化吸收和再创新机制 |
| 6.2 我国纳米材料产业化的人才机制研究 |
| 6.2.1 我国纳米材料产业化的人才培养机制 |
| 6.2.2 我国纳米材料产业化的人才引进机制 |
| 6.2.3 我国纳米材料产业化的人才流动机制 |
| 6.2.4 我国纳米材料产业化的人才竞争激励机制 |
| 6.3 我国纳米材料产业化的融资机制研究 |
| 6.4 我国纳米材料产业化的政策法律保障机制 |
| 6.4.1 我国纳米材料产业化的政策导向不够明确 |
| 6.4.2 我国纳米材料产业化的政策协调性不够,缺乏科学、统一、系统设计 |
| 6.5 我国纳米材料产业化的技术转移机制研究 |
| 6.5.1 我国纳米材料产业化过程中科技中介的功能及分类 |
| 6.5.2 我国纳米材料产业化过程中科技中介的发展现状 |
| 6.6 纳米材料产业化的运行机制国内外比较 |
| 6.7 我国纳米材料产业化水平的评价 |
| 6.7.1 评价方法的选择 |
| 6.7.2 构建我国纳米材料产业化评价指标体系 |
| 6.7.3 应用ANP方法评价我国纳米材料产业化水平 |
| 本章小结 |
| 第七章 我国纳米材料产业化的对策措施 |
| 7.1 构建纳米材料产业化的技术创新体系,大力推进技术创新 |
| 7.1.1 确定纳米材料企业的技术创新主体地位 |
| 7.1.2 加强协作,共同推进纳米材料技术创新 |
| 7.1.3 加强纳米材料技术的引进吸收和再创新 |
| 7.1.4 加大研发投入,促进技术创新 |
| 7.1.5 我国纳米材料产业化技术创新体系模型 |
| 7.2 建立和完善我国纳米材料产业化的人才体系 |
| 7.2.1 建立以市场需求为导向的人才培养机制 |
| 7.2.2 建立和完善有效的人才引进机制 |
| 7.2.3 构建适应纳米材料产业化的人才竞争激励机制 |
| 7.2.4 建立和完善适合市场经济要求的纳米材料人才流动机制 |
| 7.2.5 我国纳米材料产业化人才体系模型 |
| 7.3 建立和完善符合我国纳米材料产业化的融资机制 |
| 7.3.1 充分发挥政府在我国纳米材料产业化融资过程中的作用 |
| 7.3.2 完善我国纳米材料产业化过程中的银行信贷机制 |
| 7.3.3 发展金融创新工具,为我国纳米材料产业化增加新的融资渠道 |
| 7.3.4 大力发展内风险投资,促进我国纳米材料产业化 |
| 7.3.5 积极利用海外资本市场,进行多渠道融资 |
| 7.3.6 我国纳米材料产业化融资机制模型 |
| 7.4 建立和完善我国纳米材料产业化技术转移机制 |
| 7.4.1 培育我国纳米材料产业化的技术市场体系 |
| 7.4.2 培育和规范我国纳米材料技术转移中介机构 |
| 7.4.3 培养专业科技中介人才 |
| 7.4.4 我国纳米材料产业化技术转移机制模型 |
| 7.5 建立和完善我国纳米材料产业化政策法律保障体系 |
| 7.5.1 健全促进我国纳米材料产业化的法律保障体系 |
| 7.5.2 制定和实施有利于我国纳米材料产业化的相关政策 |
| 7.5.3 我国纳米材料产业化政策法律保障体系模型 |
| 本章小结 |
| 第八章 全文总结与研究展望 |
| 8.1 全文总结 |
| 8.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 个人简历 在读期间发表的学术论文与研究成果 |
| 致谢 |
（9）纳米技术的哲学思考（论文提纲范文）
| 引言 |
| 1、研究目的与意义 |
| 2、国内外研究现状 |
| 第一部分 纳米技术概念的起源与发展 |
| 1.1 纳米技术的起源 |
| 1.2 纳米技术的发展 |
| 1.3 纳米技术概念的内涵与外延分析 |
| 第二部分 纳米技术的研究热点及发展趋势 |
| 2.1 纳米材料学 |
| 2.2 纳米电子学 |
| 2.3 纳米动力学 |
| 2.4 纳米生物学 |
| 2.5 纳米技术在其他方面的一些应用及各方面之间相互关系 |
| 第三部分 对纳米技术的哲学思考及人为控制 |
| 3.1 纳米技术的哲学思考 |
| 3.1.1 纳米技术对科学技术内在关系的影响 |
| 3.1.2 纳米技术对生命伦理的影响 |
| 3.1.3 纳米技术对人类社会的影响 |
| 3.2 纳米技术的人为控制 |
| 3.2.1 纳米技术标准化体系的建立 |
| 3.2.2 纳米技术的法律控制 |
| 3.2.3 纳米技术的软性约束 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 发表文章目录 |
| 个人简况: |
| 个人简历: |
| 承诺书 |
（10）超临界水解制备金属氧化物微粒的实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 2 文献综述 |
| 2.1 纳米材料的特性与应用 |
| 2.1.1 纳米材料的表面效应 |
| 2.1.2 纳米材料的小尺寸效应 |
| 2.1.3 纳米材料的宏观量子隧道效应 |
| 2.1.4 纳米材料的应用 |
| 2.1.5 纳米材料的常见制备方法 |
| 2.2 超临界水解制备金属氧化物微粒的制备工艺 |
| 2.2.1 超临界流体的特性 |
| 2.2.2 超临界二氧化碳的优势与应用 |
| 2.2.3 超临界流体用于微粒制备的研究进展 |
| 2.2.4 超临界水解制备金属氧化物微粒的研究进展 |
| 2.3 本章小结 |
| 3 超临界水解制备金属氧化物微粒过程的工艺与设备 |
| 3.1 超临界水解制备金属氧化物微粒的工艺原理 |
| 3.1.1 良好的SCF反应环境 |
| 3.1.2 超临界水解制备金属氧化物微粒的反应原理 |
| 3.2 超临界水解制备金属氧化物微粒的实验过程 |
| 3.2.1 实验工艺流程及改进 |
| 3.2.2 实验主体设备 |
| 3.2.3 实验步骤 |
| 3.3 本章小节 |
| 4 氧化钛微粒的制备与表征 |
| 4.1 氧化钛微粒的特性与应用 |
| 4.2 实验药品与原理 |
| 4.3 实验结果分析 |
| 4.3.1 XRD分析 |
| 4.3.2 实验压力对微粒粒径的影响 |
| 4.3.3 系统总流量对微粒粒径的影响 |
| 4.3.4 支路流量比对微粒粒径的影响 |
| 4.3.5 实验温度对微粒粒径的影响 |
| 4.4 本章小节 |
| 5 氧化铝微粒的制备与表征 |
| 5.1 氧化铝微粒的特性与应用 |
| 5.2 实验药品与原理 |
| 5.3 实验结果分析 |
| 5.3.1 XRD分析 |
| 5.3.2 实验压力对微粒粒径的影响 |
| 5.3.3 系统总流量对微粒粒径的影响 |
| 5.3.4 支路流量比对微粒粒径的影响 |
| 5.3.5 实验温度对微粒粒径的影响 |
| 5.4 本章小节 |
| 6 氧化锆微粒的制备与表征 |
| 6.1 氧化锆微粒的特性与应用 |
| 6.2 实验药品与原理 |
| 6.3 实验结果分析 |
| 6.3.1 XRD分析 |
| 6.3.2 实验压力对微粒粒径的影响 |
| 6.3.3 系统总流量对微粒粒径的影响 |
| 6.3.4 支路流量比对微粒粒径的影响 |
| 6.3.5 实验温度对微粒粒径的影响 |
| 6.4 本章小节 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 附录A TiO_2产品微粒粒径的表征结果 |
| 附录B Al2O_3产品微粒粒径的表征结果 |
| 附录C ZrO_2产品微粒粒径的表征结果 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 |
| 致谢 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 |
四、我国纳米电子学应用研究又有新进展（论文参考文献）
- [1]基于Ⅳ族元素的二维材料的理论设计与性能研究[D]. 杨小乐. 南京邮电大学, 2019(02)
- [2]中国物理学院士群体计量研究[D]. 刘欣. 山西大学, 2019(01)
- [3]典型二维非碳材料的甲醛气体吸附行为的第一性原理研究[D]. 冯闯. 桂林电子科技大学, 2019(01)
- [4]硫族半导体纳米晶的可控合成及光电性能应用[D]. 刘红梅. 华南理工大学, 2012(11)
- [5]外电场作用下球抛物量子点中杂质性质的研究[D]. 何莉莉. 广州大学, 2010(05)
- [6]基于有序介孔薄膜的室温单电子晶体管模型优化与实验制备研究[D]. 池雅庆. 国防科学技术大学, 2009(04)
- [7]无水无氧条件下直链烷烃衍生物分子隧道结的制备及其电学性能研究[D]. 刘向芬. 赣南师范学院, 2009(07)
- [8]我国纳米材料产业化机制研究[D]. 许华胜. 同济大学, 2007(02)
- [9]纳米技术的哲学思考[D]. 魏璐璐. 山西大学, 2006(10)
- [10]超临界水解制备金属氧化物微粒的实验研究[D]. 徐鹏. 大连理工大学, 2006(08)