一、交流等离子体显示器驱动方法的改进（论文文献综述）
李杰[1]（2020）在《基于透明柔性电极的有机电致发光器件研究》文中研究指明有机电致发光二极管（Organic Light-Emitting Diode,OLED）由于具有高色域,面发光,可视角度大,色域好,耗电低,价格便宜等优点,在显示领域占有的比重越来越多。目前在OLED器件中常用的阳极为氧化铟锡（ITO）。但由于ITO太脆,并且ITO中的金属铟的稀缺,限制了ITO在柔性OLED显示器中的使用。通常ITO的替代电极有石墨烯,碳纳米管,金属纳米线,导电聚合物等。由于银纳米线与石墨烯具有良好的弯曲特性,良好的通过率与导电性,本文选用银纳米线与石墨烯作为ITO替代电极进行研究。本文对银纳米线电极的研究,主要集中在降低银纳米线薄膜的表面粗糙度与降低银纳米线薄膜的薄层电阻。首先,采用多步旋涂法制备银纳米线薄膜,通过不同转速比较,得到最佳旋涂速率。为了降低银纳米线薄膜的表面粗糙度,我们在银纳米线表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）作为平坦层,之后施加压力压印,使银纳米线表面粗糙度从42.9nm降低至4.88nm,最后,为了降低银纳米线薄膜的薄层电阻,我们使用等离子体进行处理,经过等离子体处理,银纳米线电极薄层电阻从50Ω/sq降低至20Ω/sq。经过多次弯曲与胶带粘贴测试,银纳米线薄层电阻变化不大。使用未经过处理的银纳米线作为阳极制备的OLED器件,在较低电压发生了击穿,并且亮度较低。使用经过旋涂平坦层PMMA压印,之后使用等离子体处理的银纳米线作为阳极,制备OLED器件,之后测试OLED器件性能。OLED器件的L-V曲线与C-V曲线光滑,随着电压增加未发生击穿,并且发光情况良好。鉴于旋涂PMMA压印,之后经过等离子体处理对银纳米线电极性能的提升,我们相信该方法能用于改善银纳米线电极性能。石墨烯由于具有较高透过率,良好的可弯折性,优异的电导性,价格便宜等优点被作为ITO替代电极被广泛研究。由于石墨烯具有较高薄层电阻,并且在转移过程中容易造成石墨烯损坏,导致石墨烯表面粗糙度较高,不利于OLED器件制作。本文对石墨烯电极的研究,主要集中在降低石墨烯薄膜表面粗糙度与降低石墨烯薄膜的薄层电阻。本文使用化学气相沉积（CVD）制备石墨烯。首先将生长石墨烯的铜箔抛光处理,使生长在铜箔面的石墨烯粗糙度降低,其次通过旋涂PMMA,将石墨烯与PMMA粘紧,之后溶解铜箔,将石墨烯/PMMA转移到PET基底上得到结构为石墨烯/PMMA/PET的电极,最后滴涂硝酸使石墨烯电极薄层电阻降低。经过多次弯曲测试,石墨烯电极变化不大。使用滴涂硝酸的石墨烯/PMMA/PET电极为阳极制备OLED器件,经过测试,得到OLED器件亮度良好。实验结果表明,对铜箔进行抛光处理制备得到的石墨烯/PMMA/PET电极,之后滴涂硝酸,能有效改善基于石墨烯电极的OLED器件性能。
王旭丹[2]（2015）在《刍议袖珍计算机上使用的等离子体显示器》文中指出等离子体显示器（PDP）是一种新型显示器,与传统显像管结构的显示器相比,不仅分辨率更高,且呈现的色彩更加艳丽、丰富,已成为当今市场上的一种重要显示输出设备,并被广泛安装在各种可移动袖珍计算机中。
汤勇明[3]（2006）在《SMPDP等效电路模型的研究》文中研究表明在大屏幕娱乐平板显示终端产品领域,目前最主流产品是等离子体显示屏和液晶屏。两者各有优缺点,严酷的市场竞争促使它们的技术都必须不断创新和改进。荫罩式等离子体显示器（SMPDP）技术方案的提出为等离子体显示器技术指出了一条有效的低成本化道路,对其继续保持在40英寸以上大屏幕平板显示器市场领域的主导地位具有非常重要的作用。在PDP技术研发领域,等效电路模型研究方法正因其快速、简洁、直观等突出优势近年来得到较好的发展。本论文的研究重点是设计针对SMPDP技术的等效电路模型,并构建和完善SMPDP适用的等效电路模型研究体系。论文首先详细分析了SMPDP的放电单元结构特点及其工作机制,设计并实施了多组特性测试实验,得到SMPDP气体放电的工作特性以及电路系统中对于SMPDP负载、驱动方式的变化而产生影响的实际结果。参考上述结果,根据SMPDP放电空间的结构特点和气体放电特性,本论文提出了SMPDP等效电路模型,它主要由电容网络和晶闸管元件构成,具有结构简单,应用方便的特点。经过利用商用电路模拟软件进行性能仿真所得的结果与测试结果相符,显示出良好的准确性和可等效替代性。该模型已经在SMPDP壁电荷工作机理阐述、能量复得电路功效分析和部分电路系统调整和优化实验等实际工作起到了良好的辅助设计作用。为了扩展SMPDP等效电路模型的应用场合,进一步降低系统开发成本,论文还先后分析了SMPDP等效电路模型参数变化对系统工作特性的影响,以及SMPDP等效电路模型参数与SMPDP结构设计之间的关系。在现有条件下,完成了SMPDP整屏等效电容取值经验公式的构建工作。
丁可[4]（2006）在《等离子体应用技术的数值模拟研究 ——PDP及其他等离子体辅助技术的数值模拟》文中认为低温等离子体技术已经在微电子、材料、化工、机械及环保等许多科学领域里得到了广泛地应用。随着人们对低温等离子体发生的物理过程，以及对等离子体与材料表面相互作用机理等各方面的不断研究和探讨，低温等离子体技术得到了迅速地发展和更广泛的应用。等离子体的粒子模拟方法，可以利用计算机模拟大量的带电粒子的微观运动，再对这些微观粒子进行统计平均得到宏观的特性和运动规律。等离子体的粒子模拟方法是考虑等离子体的带电粒子运动最齐全，最能够反映实际等离子体运动的方法。在某种程度上，等离子体的粒子模拟方法可以取代实验的研究方法。因此，等离子体的粒子模拟方法现在已经成为研究等离子体物理的强有力工具。本论文采用等离子体的粒子模拟方法对以下几种等离子体应用技术进行了数值模拟研究：（1）等离子体显示屏放电单元的数值模拟研究：在等离子体显示屏中，放电单元是基本的结构要素，近年来出现了一些新的放电单元结构。比如说WAFFLE型放电单元，它可以把整个等离子体显示屏分成无数的独立的封闭式放电空间。有实验证明WAFFLE型放电单元能够提高放电的发光效率，还能够防止邻近的放电单元的发光混淆。本论文第一部分内容针对WAFFLE型放电单元的新型结构，首次采用二维粒子模拟的方法结合蒙特卡洛碰撞模型对这种封闭型放电单元内的放电过程进行模拟研究，得到了空间电势分布、带电粒子密度的分布和离子入射能量、入射角度分布等参数。模拟结果表明：放电单元采用WAFFLE型介质材料障壁，不会影响整个放电单元内的气体放电性能；相反WAFFLE型介质障壁在某种程度上可以减少介质层被带有能量的离子撞击的机会，从而延长了介质层和整个放电单元的寿命，在整体上看也能提高一定的等离子体显示屏的寿命。本论文还针对等离子体显示屏放电单元在放电过程中出现的条纹现象进行了模拟研究，首次在蒙特卡洛碰撞模型结合二维粒子模拟的方法中考虑到了左右侧介质障壁的厚度对条纹现象的影响，在优化了相关的模拟参数后，模拟出了放电过程中极其清晰的等离子体密度的条纹现象。模拟结果表明：等离子体的条纹现象只发生在阳极区域附近，WAFFLE型障壁可以减弱放电单元内的条纹现象。条纹现象的形成是由阳极表面附近的空间电势分布和表面电荷分布共同作用产生的，特别是表面的电子电荷分布对条纹现象的影响很大。放电空间内空间电势的变化直接影响了带电粒子的分布，正是电势分布的波动使得带电粒子的密度分布也出现了波动。（2）射频（RF）驱动的电容耦合放电等离子体（CCPs）的数值模拟研究：射频电容耦合放电等离子体在等离子体薄膜沉积、等离子体刻蚀、等离子体清洁等方面有广泛的应用，特别是在微电子行业、半导体产业，电容耦合放电更是大规模的被运用到超细刻蚀方面。在通常的单频射频电容耦合放电中，还不能很好的控制放电过程中的等离子体密度和离子能量，放电效率也得不到提高。现在研究比较多的双频电容耦合放电，在放电中使用两种不同频率的工作电源，可以更好的控制放电中电子和离子的能量分布，得到相对较高的等离子体密度。本论文采用一维粒子模拟结合蒙特卡洛碰撞模型的方法，模拟计算了单频和双频电容耦合放电空间内的等离子体密度，离子能量分布等影响放电性能的参量。模拟表明，在双频电容耦合放电中，随着低频射频电源的电压的加大，等离子体的平均密度会下降，等离子体鞘层的宽度会增加，而且离子能量的分布范围也扩大了。随着高频射频电源的电压增大，电容耦合放电空间中的等离子体平均密度上升了；而等离子体鞘层的厚度随着高频电压的升高有所减少。综合比较可知，在双频电容耦合放电中，高频电源可以用来控制放电过程中的等离子体密度，而低频电源可以用来控制放电过程中的等离子体鞘层的宽度和离子能量的分布。（3）等离子体浸没离子注入技术（PⅢ）的数值模拟研究：等离子体浸没离子注入技术是一种新型的表面改性技术，被广泛应用在许多材料的表面改性上。在材料的表面处理改性过程中，一般对改性层中离子的剂量分布均匀性都有较高的要求。因此，对PⅢ待处理的工件进行预测性剂量分析具有十分重要的实用意义。本论文采用二维粒子模拟方法对等离子体离子浸没注入技术进行了模拟研究，在一个完整脉冲时段内，等离子体离子浸没注入平板靶的模拟过程表明：等离子体鞘层的扩展先快后慢，鞘层形状由椭圆柱形向圆柱形演化；注入离子剂量在靶表面的分布是非均匀的；存靶的不同位置注入的离子在改性层中的浓度深度分布有显着差别。（4）等离子体磁控溅射成膜技术的数值模拟研究：磁控溅射成膜是微电子工业上生成薄膜的主要方法之一，现在微电子行业的增长速度非常快，薄膜制成过程也成为了许多研究者关注的焦点。磁控溅射的计算模拟工作可以优化现实的磁控溅射成膜技术的系列参数。本论文利用二维PIC-MCC模拟模型对磁控溅射等离子体的发生过程进行模拟计算，再通过MC模拟方法模拟薄膜的宏观沉积过程。磁控溅射放电过程的模拟结果表明：带电粒子的密度分布，和磁场的分布有着很紧密的关系；溅射Ar离子的能量分布和溅射角度分布同样和磁场的分布有关系；靶体材料表面的离子流密度分布出现了两个高峰。磁控溅射沉积成膜的宏观模拟结果表明：离子流密度的分布直接影响到了离子撞击到靶体的溅射产额，Ar溅射离子入射到靶体表面引起溅射产额分布曲线中也出现了两个高峰，位置和溅射离子流密度分布曲线中的两个高峰位置相对应；薄膜沉积的均匀性和背景气体气压、靶体-基底间距有很大关系，当背景气体的压强增加时，在基底上溅射沉积的薄膜的沉积速率会下降，沉积均匀度就相对较好，而当靶体-基底间距减小时，在基底上溅射沉积的薄膜的均匀性会变差。
吴可[5]（2006）在《SMPDP波形研究及优化》文中认为等离子体显示器在进入21世纪后已经确立了其在大屏幕高清晰度显示领域的重要地位,但是目前仍然有许多需要改进的地方,如发光效率、功耗、成本等。新型荫罩式等离子显示器的出现为进一步提高等离子体显示屏分辨率、亮度以及降低成本,延长使用寿命提供了可能。然而将该技术推向产业化还有许多工作,由于荫罩式等离子显示器的结构和传统的三电极表面放电式等离子显示器不同,其工作特性也不同,为了能够充分利用这种新的结构所带来的优势,必须深入研究荫罩式等离子显示器的工作特性,改进和优化其驱动方法。本论文在分析和比较了现有的传统表面放电型等离子显示器所采用的多种驱动方法的基础上,根据新型荫罩式等离子体显示屏的特殊结构,提出了其适用的驱动波形。该驱动波形基于寻址与显示分离的驱动方法,由重置期,寻址期和维持期组成。本论文在对比几种常用的重置波形的基础上,提出了适用于荫罩式等离子显示器的重置波形。此重置波形由正向斜坡波形和负向斜坡波形组成。通过壁电压输入输出曲线进行理论分析和实际系统上的实验结果,证明此波形能够有效地使壁电压达到稳定寻址需要的范围,并且产生有利于寻址的空间电荷,同时还有效的提高了对比度。另外论文中还提出了重置波形的相关参数。本论文分析了荫罩式等离子显示器中影响寻址速度的因素。通过对影响寻址速度的因素的分析和实际系统上实验的结果,提出了寻址波形需要满足的电压幅度的条件和寻址波形的相应参数。为了进一步降低寻址时间,提出了适用于25英寸荫罩式等离子显示器的缩短寻址时间的方案。本论文分析了荫罩式等离子显示器中能够稳定维持放电的要求,通过实际系统上实验的结果,提出了25英寸荫罩式等离子显示器的维持波形相应的参数。
吴隽[6]（2006）在《消除SMPDP动态伪轮廓方法的研究》文中提出彩色等离子体显示屏（PDP）被认为是最适合作为高清晰度电视（HDTV）信号的彩色显示终端。它属于自发光型显示器件,具有存储特性,很强的非线性电特性,高亮度等特点,这使其更适合于大屏幕、高分辨率彩色显示。现有的主流PDP采用表面放电结构,它能够提供良好的显示性能,已经开始批量生产。但是这种结构仍然存在着许多问题和困难,特别是制造工艺成本高、发光效率低。为了解决上述问题,国内东南大学提出了一种新型的荫罩式等离子体显示屏（SMPDP）。本论文的研究重点便是通过改进荫罩式等离子体显示屏的视频驱动时序来消除动态伪轮廓（DFC）现象,从而提高荫罩式等离子体显示屏的图像质量。本论文在分析人眼视觉系统的基础上,针对人眼观看视频图像时会利用时域和空域的亮度信号积分来保持眼球的平滑跟随运动,利用软件对等离子体显示屏的动态伪轮廓现象进行了模拟。本论文分析了目前等离子体显示屏消除动态伪轮廓现象的几类方法,提出了一套通过子场发光积累取代子场发光组合来实现灰度的驱动时序方法,并利用针对于视频数据流的误差扩散算法,解决了图像灰度级不足的问题。为了在34英寸荫罩式等离子体显示屏视频驱动系统应用该驱动时序,本论文完成了核心控制逻辑的修改和误差扩散算法的FPGA设计。实验证明,本论文提出的驱动时序可以提高荫罩式等离子体显示屏在显示运动图像时的画面质量,消除了动态伪轮廓现象。
冯涛[7]（2006）在《碳纳米管场发射平板显示器件关键技术的研究》文中研究指明本文在国家973计划和上海市纳米专项的资助下，以碳纳米管场发射平板显示器件（CNT-FED）的实用化和产业化为目标，开展CNT-FED器件制备的关键技术研究。本论文中对涉及CNT-FED制备的全套工艺，包括碳纳米管阴极的制备、阴极场发射性能的改善、三极管器件结构的设计与实现以及器件的封装进行了全面研究，开发了一套基于低成本丝网印刷工艺的CNT-FED器件制备工艺，并最终获得了较好显示度的CNT-FED器件。本论文主要包含以下几部分内容： 一、设备研制 自行设计并建立了一台多功能超高真空系统。该系统集PECVD、等离子体表面处理、场发射测试、器件真空封接、高真空退火等功能于一体。目前能够在多种衬底上沉积碳纳米管、并进行阴极的等离子体表面处理，场发射性能测试等。 二、阴极发射性能的改善 从CNT的发射表面、CNT膜本身的电子传导性能以及CNT与衬底材料的接触性能这三个方面入手，研究改善印刷法制备的CNT阴极电子发射性能的方法。 （1） 采用等离子体表面处理的方法使印刷法制备的CNT阴极发射点密度有数量级提高并达到显示用要求。FESEM发现等离子体表面处理后CNT的表面出现了大量的瘤状的纳米颗粒，HRTEM确认了这种纳米级瘤状颗粒是球状富勒烯结构。本文认为这种类似于CNT发射尖端的富勒烯球与管壁的结合使CNT的发射模式从单尖端发射变为多尖端发射，宏观上导致了处理后CNT阴极电子发射点密度数量级的增加。 （2） 发现了印刷法制备的CNT膜的记忆发射效应。利用这种CNT膜的记忆发射特性，我们可以通过机械图形转移法很容易的获得清晰的图形化发射，不再需要阴极的图形化工艺和复杂的后处理工艺。本文认为表面图形转移的过程使表面具有发射能力的CNT和从衬底到表面的导电通道的数量大大增加，从而使图形
沈建于[8]（2005）在《荫罩式等离子体显示屏等效电路的研究》文中认为彩色等离子体显示技术（PDP）被认为是最适合作为高清晰度电视（HDTV）彩色显示终端的技术之一。它属于自发光型显示器件,具有存储特性,很强的非线性电特性,良好的发光效率和亮度等特点,这使其更适合于大屏幕、高分辨率彩色显示。现有的主流PDP采用表面放电结构,它能够提供良好的显示性能,已经开始批量生产,但是这种结构仍然存在着许多问题和困难,特别是制造工艺成本高、发光效率低。这些问题阻碍了PDP在市场的迅速推广,特别是家用消费电子产品市场。因此深入研究PDP的工作机理,进一步优化放电单元结构和驱动方法,降低成本,提高发光效率,成为目前PDP行业的主要研究课题。由于PDP是通过气体放电产生紫外线激发荧光粉发光进行显示工作的,过程复杂、时间短、放电单元空间尺寸小,因此想要通过实验测量、观察的方法来研究其工作机理具有相当的难度。目前常用的方法是借助于高速计算机来模拟气体放电过程,但至今为止,国际上在该领域的研究仍局限于对放电机理的认识,距实际工程应用仍有一定距离。为满足在PDP的工程研究中急需一个更适合于工程应用,能优化PDP结构以及显示驱动的应用型模拟方法的要求,本论文建立了一个实用型PDP等效电路模型,并通过仿真软件模拟分析PDP工作原理,优化驱动波形,改进驱动电路。本论文在分析和比较了现有的多种传统表面放电型PDP等效电路模型的基础上,根据新型荫罩式等离子体显示屏（SM-PDP）的特殊结构,提出了其适用的等效电路模型。该模型以电容为主体,选择闸流管来表现气体放电的非线性过程,还考虑了荫罩对放电特性的影响。作者建立了一个稳定可靠的仿真环境和灵活有效的仿真方法,通过比较实验电路波形和仿真波形,验证了本论文所提出的等效电路模型的正确性。另外,为了能模拟气体弱放电的特性,本论文提出了对等效电路的改进,使该等效电路模型能更全面、准确的反映SM-PDP实际的工作特性。本论文利用等效电路模型对SM-PDP放电特性进行了分析,给出了壁电压变化情况和气体放电特性的关系,并利用壁电压输入-输出曲线（WVIO）分析了有效维持电压范围的决定因素。根据分析得出的气体放电特性,本论文利用等效电路模型分析了四种PDP主要驱动波形:维持波形、擦除波形、寻址波形和初始化波形。本论文利用等效电路模型,通过仿真阐述了能量复得电路的工作原理,证明了该电路在系统驱动电路中的重要作用,并提出了优化方案。同时提出了对视频驱动电路的改进,设计了整个视频驱动电路,增加了斜坡初始化波形的产生电路,并对电路进行了仿真分析。
曾杰军,梁宁,沈思宽,钱慰宗[9]（2002）在《交流等离子体显示器驱动方法的改进》文中研究表明对三电极表面放电交流等离子体显示器驱动方法的物理过程进行了详细的分析 ,根据其放电原理对常规的寻址与显示分离驱动方法的准备期波形进行了改进。实验结果表明 ,改进的驱动方法不仅简化了驱动电路 ,降低了寻址电极驱动芯片的耐压值和功耗 ,而且增强了显示图像的对比度 ,降低了驱动电路的成本。
单惠平[10]（2002）在《42英寸彩色等离子体平板显示器存储处理与控制电路研究》文中研究说明等离子体平板显示器（Plasma Display Panel，PDP）是利用气体放电发光进行显示的平面显示板，它具有厚度薄、重量轻、大平面、大视角、响应快、而且兼有存储特性等优点。由于我国PDP研究起步较晚，为了抢占国内市场，研究开发具有自主知识产权的PDP迫在眉睫。本论文的研究是42英寸彩色PDP整机电路研究的一部分，即存储处理与控制电路的研究。论文首先介绍了PDP的显示原理，然后给出了存储处理与控制电路的设计方案，并详细讨论了怎样使用可编程逻辑器件来实现电路，最后还对虚影的产生及解决办法进行了相应的探讨。
二、交流等离子体显示器驱动方法的改进（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、交流等离子体显示器驱动方法的改进（论文提纲范文）
（1）基于透明柔性电极的有机电致发光器件研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 透明柔性电极的发展 |
| 1.3 OLED技术的发展与应用 |
| 1.4 柔性OLED的发展重点与难点 |
| 1.5 本文的研究目的及内容 |
| 第二章 透明柔性OLED基础知识 |
| 2.1 OLED的基本工作原理 |
| 2.1.1 有机半导体特点 |
| 2.1.2 OLED器件发光原理 |
| 2.1.3 单线态与三线态 |
| 2.1.4 OLED发光材料类别及工作原理 |
| 2.1.5 激子运输—能量传递 |
| 2.1.6 OLED结构的发展 |
| 2.2 柔性OLED器件的制备过程 |
| 2.2.1 透明柔性电极的制作 |
| 2.2.2 有机层的制作 |
| 2.3 透明柔性电极的驱动技术 |
| 2.3.1 无源矩阵驱动 |
| 2.3.2 有源矩阵驱动方式 |
| 2.4 OLED的全彩技术 |
| 2.4.1 RGB三色独立发光技术 |
| 2.4.2 光色转变技术 |
| 2.4.3 白光加滤光膜技术 |
| 2.5 透明柔性OLED性能评价参数 |
| 2.5.1 透明柔性电极评价参数 |
| 2.5.2 OLED器件发光参数评定 |
| 2.6 透明柔性OLED器件优化 |
| 2.6.1 电极优化 |
| 2.6.2 发光材料的优化 |
| 2.6.3 器件结构的优化 |
| 第三章 银纳米线电极的制备及优化 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验材料及设备 |
| 3.2.1 实验材料 |
| 3.2.2 电极表征及器件测量仪器 |
| 3.3 银纳米线电极的制备 |
| 3.3.1 基板的处理 |
| 3.3.2 旋涂法制备银纳米线电极 |
| 3.3.3 OLED器件制备 |
| 3.3.4 测试数据及结果分析 |
| 3.4 压印降低银纳米线电极的表面粗糙度 |
| 3.5 等离子体处理对银纳米线电极的改进 |
| 3.5.1 等离子体原理 |
| 3.5.2 等离子体对银纳米线电极的优化 |
| 3.5.3 等离子体优化电极的原理分析 |
| 3.6 不同处理工艺得到的电极对比与应用 |
| 3.6.1 不同处理工艺电极的对比 |
| 3.6.2 银纳米线电极的应用 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 可应用于OLED的石墨烯电极制备 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验仪器及材料 |
| 4.2.1 实验材料 |
| 4.2.2 实验仪器 |
| 4.3 石墨烯电极的制备 |
| 4.3.1 铜箔的抛光处理 |
| 4.3.2 石墨烯的生长 |
| 4.3.3 石墨烯的转移 |
| 4.3.4 石墨烯电极的优化 |
| 4.4 石墨烯电极分析 |
| 4.4.1 石墨烯拉曼分析 |
| 4.4.2 石墨烯电极透过率分析 |
| 4.5 OLED器件的制作与结果分析 |
| 4.5.1 OLED器件制作 |
| 4.5.2 石墨烯OLED分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 工作总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 |
| 1 )参加的学术交流与科研项目 |
| 2 )发表的学术论文和专利 |
（2）刍议袖珍计算机上使用的等离子体显示器（论文提纲范文）
| 1 等离子体显示器在平板化、功耗、成本方面的应用分析 |
| 1.1 等离子体显示器在平板化方面的应用问题 |
| 1.2 等离子体显示器在功耗方面的应用问题 |
| 1.3 等离子体显示器在成本方面的应用问题 |
| 2 直流和交流等离子体显示器 |
| 3 等离子体显示器在袖珍计算中的使用前景 |
| 4 结语 |
（3）SMPDP等效电路模型的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 显示技术及PDP技术发展概况 |
| 1.1.1 显示技术的发展 |
| 1.1.2 PDP技术的发展概况 |
| 1.1.3 PDP基本工作原理 |
| 1.1.4 主流PDP结构介绍 |
| 1.2 当今PDP技术研究方法的发展 |
| 1.2.1 PDP工作特性模拟仿真技术的发展 |
| 1.2.2 流体力学模型仿真技术的发展 |
| 1.2.3 等效电路模型仿真技术的发展 |
| 1.2.4 两种模拟仿真技术的对比 |
| 1.3 PDP等效电路模型研究方法简介 |
| 1.3.1 电路分析软件PSpice基础 |
| 1.3.2 PDP的等效电路模型研究方法的发展现状 |
| 1.4 SMPDP相关的研制与仿真技术的发展 |
| 1.4.1 SMPDP技术的发展过程 |
| 1.4.2 SMPDP模拟仿真技术的发展 |
| 1.5 论文的主要研究目的及内容 |
| 1.5.1 论文的研究目的及意义 |
| 1.5.2 论文的主要研究内容 |
| 1.5.3 论文的主要成果 |
| 第二章 SMPDP工作原理及特性测试 |
| 2.1 SMPDP放电单元的结构 |
| 2.2 SMPDP工作机理及其驱动系统设计 |
| 2.3 SMPDP放大单元的放电过程测量 |
| 2.4 SMPDP整屏电气特性测量 |
| 2.4.1 老练系统整屏点亮前后I-V特性变化实验 |
| 2.4.2 老练系统维持脉冲工作频率对I-V特性的影响实验 |
| 2.4.3 老练系统驱动显示面积对电路特性的影响实验 |
| 2.4.4 显示图案对SMPDP视频显示系统特性的影响实验 |
| 2.4.5 对SMPDP局域负载与整屏负载关系之间影响关系的推论 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 SMPDP等效电路模型设计 |
| 3.1 SMPDP单元等效电路模型基本方案设计 |
| 3.1.1 SMPDP基本等效电路模型的建立 |
| 3.1.2 SMPDP基本等效电路模型的修正 |
| 3.1.3 SMPDP等效电路模型的验证 |
| 3.2 SMPDP放电单元等效电路与整屏等效电路的转换关系 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 SMPDP等效电路模型的应用 |
| 4.1 SMPDP等效电路模型对壁电荷工作原理的仿真 |
| 4.2 SMPDP等效电路模型对能量复得电路工作过程的仿真 |
| 4.2.1 SMPDP能量复得电路的设计 |
| 4.2.2 SMPDP能量复得电路功能的模拟 |
| 4.3 SMPDP等效电路模型对辅助维持脉冲工作原理的解释 |
| 4.4 SMPDP等效电路模型中各电路参数灵敏度分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 SMPDP等效电路模型参数关联因素 |
| 5.1 SMPDP等效电路模型中参数的关联因素分析 |
| 5.2 SMPDP单元等效电容的流体力学模型计算 |
| 5.2.1 行电极宽度变化对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.2.2 介质层介电常数对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.2.3 介质层厚度的变化对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.2.4 荫罩高度的变化对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.2.5 荫罩孔开口率的变化对SMPDP放电单元电容的影响 |
| 5.3 SMPDP整屏等效电容参数选取的经验公式 |
| 5.4 关于SMPDP电容值的讨论 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（4）等离子体应用技术的数值模拟研究 ——PDP及其他等离子体辅助技术的数值模拟（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 前言 |
| 1.1 低温等离子体物理 |
| 1.1.1 等离子体的定义以及相关重要概念 |
| 1.1.2 等离子体的产生 |
| 1.1.3 低温等离子体物理的应用 |
| 1.1.3.1 等离子体显示屏 |
| 1.1.3.2 等离子体成膜 |
| 1.1.3.3 等离子体浸没离子注入 PIII |
| 1.1.3.4 等离子体刻蚀技术 |
| 1.2 等离子体在显示器方面的应用:等离子体显示屏 |
| 1.2.1 等离子体显示器的简介 |
| 1.2.2 等离子体显示器的发展历史 |
| 1.2.3 等离子体显示屏的基本构造 |
| 1.2.4 等离子体显示屏的计算机模拟 |
| 1.2.5 国内对于等离子体显示屏的研究情况 |
| 1.2.6 现在的研究进展和趋势:如何提高等离子体显示屏的放电效率 |
| 1.3 射频电容耦合放电等离子体 |
| 1.4 等离子体浸没离子注入(PIII) |
| 1.4.1 等离子体浸没离子注入技术的模拟研究 |
| 1.4.2 等离子体浸没离子注入技术的不足以及研究方向 |
| 1.5 等离子体磁控溅射成膜 |
| 1.5.1 等离子体磁控溅射技术的模拟研究 |
| 1.5.2 等离子体磁控溅射成膜技术的模拟研究方向 |
| 1.6 本论文的主要研究工作及其意义 |
| 第二章 等离子体粒子模拟模型及数值求解 |
| 2.1 等离子体的粒子模拟方法 |
| 2.2 等离子体粒子模拟的基本思路 |
| 2.3 等离子体粒子模拟方法的计算流程和常用算法 |
| 2.3.1 等离子体模拟方法的基本流程及蛙跳算法 |
| 2.3.2 计算粒子形状的插值方法和线性加权方法 |
| 2.3.3 Newton-Lorentz运动方程的求解 |
| 2.3.4 静电模型以及边界条件 |
| 2.3.5 电势的计算 |
| 2.3.6 电磁模型中 Maxwell方程的求解 |
| 2.3.7 电磁模型中的电流参量 |
| 第三章 PDP放电单元中障壁类型对放电性能的影响 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 放电单元的结构组成 |
| 3.3 模拟方法以及相关模拟参数 |
| 3.4 计算结果和分析 |
| 3.4.1 放电单元中的电势分布 |
| 3.4.2 放电单元中的条纹现象 |
| 3.4.3 带电粒子的密度分布 |
| 3.4.4 放电单元中介质层上的表面电荷分布 |
| 3.4.5 放电单元内空间电势分布和密度分布的相互影响 |
| 3.4.6 放电单元中入射粒子在介质层上的能量分布 |
| 3.4.7 放电单元中入射粒子在介质层上的入射角度分布 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 PDP中条纹现象的模拟及其发生机理的探讨 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 等离子体显示屏放电单元的模拟结构及相关模拟参量 |
| 4.3 模拟结果和分析 |
| 4.3.1 电势分布 |
| 4.3.2 带电粒子密度的分布 |
| 4.3.3 空间电势分布和密度分布的对应关系 |
| 4.3.4 条纹现象的发生机理 |
| 4.4 不同介电常数的介质障壁对条纹现象的影响 |
| 4.5 另外一种材料的障壁对条纹现象的影响 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 射频电容耦合放电等离子体的模拟研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 电容耦合放电等离子体的放电模型 |
| 5.3 模拟工具及相关模拟参数 |
| 5.4 单频电容耦合放电模拟结果和分析 |
| 5.4.1 工作气压的变化 |
| 5.4.2 射频电源的频率变化 |
| 5.4.3 射频电源的电压变化 |
| 5.5 双频电容耦合放电模拟结果和分析 |
| 5.5.1 低频电源电压的改变对放电性能的影响 |
| 5.5.2 高频电源电压的改变对放电性能的影响 |
| 5.5.3 低频电源频率的改变对放电性能的影响 |
| 5.5.4 高频电源频率的改变对放电性能的影响 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 等离子体浸没离子注入技术的模拟研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 二维等离子体粒子模拟的物理模型 |
| 6.3 粒子模拟的计算流程 |
| 6.4 数值模拟结果与讨论 |
| 6.4.1 等离子体鞘层的扩展 |
| 6.4.2 入射离子流密度分布 |
| 6.4.3 入射离子的入射角度分布 |
| 6.4.4 入射离子的能量分布 |
| 6.4.5 入射离子的剂量分布 |
| 6.5 注入离子浓度深度分布研究 |
| 6.6 本章小结 |
| 第七章 磁控溅射等离子体的产生和薄膜沉积的模拟研究 |
| 7.1 简介 |
| 7.2 磁控溅射等离子体产生的模拟方法 |
| 7.3 薄膜沉积宏观形貌的模拟 |
| 7.4 等离子体产生过程的模拟结果 |
| 7.4.1 磁场分布的示意图 |
| 7.4.2 平均动能、带电粒子数密度随时间的变化 |
| 7.4.3 空间电势的分布和等离子体鞘层 |
| 7.4.4 放电空间内的粒子密度分布 |
| 7.4.5 Ar离子的能量分布和角度分布 |
| 7.4.6 靶体表面的粒子流密度分布 |
| 7.5 薄膜沉积过程宏观形貌的模拟 |
| 7.5.1 溅射产率 |
| 7.5.2 不同气压、不同靶/基底间距的薄膜沉积 |
| 7.6 小结 |
| 第八章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 博士研究生期间发表的论文 |
（5）SMPDP波形研究及优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 等离子体显示器（PDP）概述 |
| 1.1.1 PDP的发展历史 |
| 1.1.2 PDP的特点和存在问题 |
| 1.1.3 等离子体显示屏的典型结构及新型结构 |
| 1.1.4 PDP基本工作原理 |
| 1.2 SMPDP显示屏结构和驱动方法 |
| 1.2.1 SMPDP基本结构 |
| 1.2.2 SMPDP驱动方法 |
| 1.2.3 ACC-PDP常用的驱动方法 |
| 1.3 课题主要工作及意义 |
| 第2章 交流等离子屏基本工作原理 |
| 2.1 交流等离子屏的记忆效应 |
| 2.2 WVIO曲线分析方法 |
| 2.3 实验系统及相应仪器 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 重置波形的研究和规划 |
| 3.1 重置期的作用 |
| 3.1.1 重置期前屏单元壁电压分析 |
| 3.1.2 重置期的作用 |
| 3.2 几种现有的重置方案比较 |
| 3.3 重置波形的提出和参数分析 |
| 3.3.1 SMPDP重置波形及放电特性分析 |
| 3.3.2 重置波形参数的正常工作范围 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 寻址波形的研究和优化 |
| 4.1 寻址的基本原理 |
| 4.2 寻址波形的研究 |
| 4.2.1 缩短寻址时间的意义及方法 |
| 4.3 SMPDP中影响寻址时间的因素 |
| 4.3.1 寻址时间的组成 |
| 4.3.2 有关寻址放电延迟的实验 |
| 4.3.3 对于补偿priming效果的讨论 |
| 4.4 扫描电压与寻址电压的范围 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 维持波形的优化 |
| 5.1 维持的基本原理 |
| 5.1.1 维持期屏单元壁电荷变化情况 |
| 5.1.2 维持期屏单元壁电压稳定性分析 |
| 5.1.3 提高发光效率的维持驱动方式 |
| 5.2 维持波形参数的选择 |
| 5.3 25 英寸SMPDP驱动波形及参数 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（6）消除SMPDP动态伪轮廓方法的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 等离子体显示屏（PDP）概述 |
| 1.1.1 PDP 的发展历史 |
| 1.1.2 PDP 基本工作原理 |
| 1.1.3 等离子体显示屏的典型结构 |
| 1.1.4 寻址与显示分离（ADS）驱动方式 |
| 1.2 等离子体显示屏存在的问题 |
| 1.3 荫罩式等离子显示屏（SMPDP）结构和驱动方法 |
| 1.3.1 SMPDP 基本结构 |
| 1.3.2 SMPDP 驱动方法 |
| 1.4 课题主要工作及意义 |
| 第二章 DFC 现象产生原因及消除方法研究 |
| 2.1 DFC 现象产生原因 |
| 2.1.1 视觉的传输过程 |
| 2.1.2 视觉的心理过程 |
| 2.1.3 眼球的两种运动 |
| 2.1.4 等离子体显示屏上闪烁光点的轨迹 |
| 2.1.5 等离子显示屏上的视觉失真现象 |
| 2.2 DFC 现象的软件模拟 |
| 2.2.1 软件模型设计 |
| 2.2.2 软件模型的应用 |
| 2.3 消除DFC 方法研究 |
| 2.3.1 改进的二进制编码法 |
| 2.3.2 非二进制编码法 |
| 2.3.3 运动补偿法 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 SMPDP 消除DFC 的方案建立及FPGA 设计 |
| 3.1 SMPDP 消除 DFC 的方案建立 |
| 3.2 提高图像灰度等级的方法 |
| 3.2.1 改变每帧图像各个子场的维持时间 |
| 3.2.2 应用误差扩散算法 |
| 3.3 软件仿真 |
| 3.3.1 仿真环境的建立 |
| 3.3.2 仿真结果分析 |
| 3.4 34 英寸 SMPDP 系统核心控制逻辑设计概述 |
| 3.4.1 系统控制部分 |
| 3.4.2 视频存储部分 |
| 3.4.3 ADS 驱动时序的FPGA 设计 |
| 3.5 34 英寸 SMPDP 系统核心控制逻辑改进 |
| 3.6 误差扩散算法的 FPGA 设计 |
| 3.6.1 算法流程图 |
| 3.6.2 系统框图 |
| 3.6.3 算法设计过程中遇到的其它问题及解决 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 改进方案在 SMPDP 系统上实现与优化 |
| 4.1 改进方案在SMPDP 上的实现 |
| 4.2 SMPDP 上消除DFC 现象的验证 |
| 4.3 SMPDP 系统的优化 |
| 4.3.1 调整各个子场的维持时间 |
| 4.3.2 多帧图像的叠加显示 |
| 4.3.3 增加子场数目 |
| 4.3.4 目前最优结果 |
| 4.3.5 实验结果分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（7）碳纳米管场发射平板显示器件关键技术的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 电子显示器件综述 |
| 1.1.1 FPD的发展简况 |
| 1.1.2 常见的FPD |
| 1.2 场发射平板显示器 |
| 1.2.1 场发射显示器原理 |
| 1.2.2 几种主要的场发射显示技术分析 |
| 1.3 场发射平板显示市场前景 |
| 1.4 我国FED器件研究的现状 |
| 1.5 本论文的工作 |
| 第二章 多功能超高真空系统的建立 |
| 2.1 多功能超高真空系统 |
| 2.1.1 系统结构 |
| 2.1.2 主要技术指标 |
| 2.2 等离子体表面处理子系统 |
| 2.3 场发射测试子系统 |
| 2.4 超高真空退火子系统 |
| 本章小结 |
| 第三章 印刷法制备碳纳米管阴极及其场发射性能的改善 |
| 3.1 引言 |
| 3.1.1 丝网印刷法制备图形化的CNT阴极 |
| 3.1.2 提高印刷法制备的CNT阴极电子发射性能的思路 |
| 3.2 等离子体表面处理提高CNT阴极电子发射性能 |
| 3.2.1 纳米瘤状颗粒的TEM表征 |
| 3.2.2 纳米瘤状颗粒的形成 |
| 3.2.3 等离子体表面处理改性机理 |
| 3.3 印刷法制备的CNT膜的记忆发射效应 |
| 3.3.1 CNT膜的记忆发射现象 |
| 3.3.2 记忆发射现象的机理研究 |
| 3.4 印刷法制备CNT膜与衬底接触性能的改善 |
| 3.4.1 CNT膜与金属电极接触电阻的测试方法 |
| 3.4.2 退火对CNT膜与衬底接触电阻的影响 |
| 3.4.3 改变接触电阻对场发射性能的影响 |
| 3.4.4 退火对CNT膜与衬底结合力的影响 |
| 本章小结 |
| 第四章 印刷法制备三极管器件结构 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 三极管结构的实现方法 |
| 4.3 全印刷法制备三极管结构 |
| 4.4 全印刷法的三极管结构制备工艺改进 |
| 本章小结 |
| 第五章 CNT-FED原型器件的设计和实现 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 器件制作的一般工艺 |
| 5.2.1 阴极制作 |
| 5.2.2 阳极制作 |
| 5.2.3 支撑结构 |
| 5.2.4 封装 |
| 5.2.5 真空度的维持 |
| 5.3 CNT-FED原型器件的设计与实现 |
| 5.3.1 三基色显示器件 |
| 5.3.2 三极管结构器件 |
| 5.3.3 动态显示的数码管 |
| 5.3.4 动态字符显示器件 |
| 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的论文目录 |
| 攻读博士学位期间申请和授权的专利目录 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
| 学位论文独创性和授权使用声明 |
（8）荫罩式等离子体显示屏等效电路的研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 等离子体显示器（PDP）概述 |
| 1.1.1 PDP 的发展历史 |
| 1.1.2 PDP 基本工作原理 |
| 1.1.3 PDP 存在问题 |
| 1.2 SM-PDP 显示屏结构和驱动方法 |
| 1.2.1 SM-PDP 基本结构 |
| 1.2.2 SM-PDP 驱动方法 |
| 1.3 PDP 工作特性的计算机模拟 |
| 1.3.1 流体模型 |
| 1.3.2 等效电路模型 |
| 1.3.3 模型比较 |
| 1.4 课题主要工作及意义 |
| 第二章 PDP 等效电路模型研究 |
| 2.1 宏放电等效电路模型 |
| 2.1.1 可变电阻电路模型 |
| 2.1.2 八点等效电路模型 |
| 2.2 经典等效电路模型 |
| 2.2.1 压控开关模型 |
| 2.2.2 稳压管模型 |
| 2.2.3 二极管模型 |
| 2.2.4 闸流管模型 |
| 2.3 等效电路模型的分析比较 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 SM-PDP 等效电路模型的建立 |
| 3.1 SM-PDP 和ACC-PDP 结构比较 |
| 3.2 PDP 气体放电特性分析 |
| 3.3 闸流管特性分析 |
| 3.3.1 工作原理 |
| 3.3.2 基本伏安特性 |
| 3.4 SM-PDP 等效电路模型 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 SM-PDP 等效电路模型的验证和完善 |
| 4.1 模拟环境和模拟方法的建立 |
| 4.1.1 模拟环境的建立 |
| 4.1.2 模拟方法的确定 |
| 4.2 等效电路模型参数的确定 |
| 4.3 实验电路和仿真电路的分析 |
| 4.4 仿真电路波形的规划 |
| 4.5 实测波形和仿真波形的比较 |
| 4.6 等效电路模型的改进 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 SM-PDP 等效电路模型的应用 |
| 5.1 壁电压对气体放电特性的影响 |
| 5.2 驱动波形设计的研究 |
| 5.2.1 维持波形的研究 |
| 5.2.2 擦除波形的研究 |
| 5.2.3 点火波形的研究 |
| 5.2.4 初始化波形的研究 |
| 5.3 能量复得电路 |
| 5.3.1 能量复得电路的作用 |
| 5.3.2 能量复得电路分析 |
| 5.3.3 能量复得电路改进 |
| 5.4 视频驱动电路改进 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
（9）交流等离子体显示器驱动方法的改进（论文提纲范文）
| 1 常规驱动方法分析 |
| 2 改进的驱动方法 |
| 3 结论 |
（10）42英寸彩色等离子体平板显示器存储处理与控制电路研究（论文提纲范文）
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 等离子体显示器的发展历程 |
| 1.3 国内外等离子体显示器研究现状 |
| 1.4 本文所作的工作 |
| 第二章 等离子体显示器的工作原理 |
| 2.1 等离子体显示器的基本结构 |
| 2.2 等离子体显示器的发光机理 |
| 2.2.1 低压气体放电的基本特性 |
| 2.2.2 彩色PDP的发光机理 |
| 2.3 单基板AC型彩色PDP的工作原理 |
| 2.3.1 AC-PDP放电单元的基本物理过程 |
| 2.3.2 AC-PDP的工作机理 |
| 第三章 存储处理与控制电路的设计及实现 |
| 3.1 整体电路介绍 |
| 3.2 接口电路输出信号描述 |
| 3.3 基于可编程逻辑器件的电路设计 |
| 3.3.1 FPGA／CPLD介绍 |
| 3.3.2 FLEX 10K系列器件 |
| 3.3.3 MAX 7000系列器件 |
| 3.4 存储处理与控制电路方案及实现 |
| 3.4.1 存储处理与控制电路总体方案 |
| 3.4.2 数据整理电路 |
| 3.4.3 控制信号产生电路 |
| 3.4.4 各子场维持期脉冲个数产生电路 |
| 3.4.5 波形调试 |
| 第四章 电路调试总结 |
| 4.1 遇到的问题及解决办法 |
| 4.2 电路中存在的问题和改进意见 |
| 第五章 几种抑制虚影的方法探索 |
| 5.1 虚影产生的原因及表现 |
| 5.2 抑制虚影的方法介绍 |
| 5.2.1 增加子场数目 |
| 5.2.2 添加补偿脉冲 |
| 5.2.3 使用运动补偿 |
| 结束语 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在读期间的研究成果 |
四、交流等离子体显示器驱动方法的改进（论文参考文献）
- [1]基于透明柔性电极的有机电致发光器件研究[D]. 李杰. 合肥工业大学, 2020(02)
- [2]刍议袖珍计算机上使用的等离子体显示器[J]. 王旭丹. 通讯世界, 2015(06)
- [3]SMPDP等效电路模型的研究[D]. 汤勇明. 东南大学, 2006(04)
- [4]等离子体应用技术的数值模拟研究 ——PDP及其他等离子体辅助技术的数值模拟[D]. 丁可. 复旦大学, 2006(02)
- [5]SMPDP波形研究及优化[D]. 吴可. 东南大学, 2006(04)
- [6]消除SMPDP动态伪轮廓方法的研究[D]. 吴隽. 东南大学, 2006(04)
- [7]碳纳米管场发射平板显示器件关键技术的研究[D]. 冯涛. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）, 2006(02)
- [8]荫罩式等离子体显示屏等效电路的研究[D]. 沈建于. 东南大学, 2005(04)
- [9]交流等离子体显示器驱动方法的改进[J]. 曾杰军,梁宁,沈思宽,钱慰宗. 真空电子技术, 2002(06)
- [10]42英寸彩色等离子体平板显示器存储处理与控制电路研究[D]. 单惠平. 西安电子科技大学, 2002(02)