问：半导体物理与器件1-3章笔记
- 答：通常半导体材料都是单晶材料。单晶材料的电学特性——化学组成，原子排列。
半导体——元素半导体（IV四价，Si Ge），化合物半导体（V，III三价五价；IV）
单晶——空间晶格——BCC,SC,FCC晶格类型——晶格结构/晶格尺寸（晶格常数）——原子体密度（计算方法见示例）——晶面和米勒指数——最近间距，原子的面密液手扒度——Si的金刚石结构
为什么原子集合倾向于特定的晶格结构：热平衡系统的总能量趋于达到某个最小值。
原子间的相互作用可以用量子力学描述
原子价键（最外层电子）
离子键—薯此—共价键——金属键——范德华键（电偶极子）
固体中的缺陷和杂质——很大程闹昌度上影响电学性能
固有缺陷——热振动（热能——温度的函数）
点缺陷：空位缺陷，填隙缺陷，弗仑克尔缺陷（空位和填隙离得很近）
线缺陷：
杂质：替位杂质，填隙杂质
掺杂：杂质扩撒，离子注入。
问：半导体物理与器件的介绍
- 答：《半导体物理与器件》是机械工业出版社出版发行裴素华编著的实体书。《半导体物理与器件》较系统全面地阐述了半导体物理的基础知识和典型半导体器件的工作原理、工作特性。具体内容包括：半导体材料的基本性质、PN结机理与特性、双极型晶体管、MOS场效应晶体空答桥管、半导体器件制备技术、Ga在SiO（2）/Si结构下的开管掺杂共6章。每章后附有举扰内容小结、思考题和习题。书后有附录，附录A是《半导体斗猛物理与器件》的主要符号表，附录B是常用物理常数表，附录c是锗、硅、砷化镓主要物理性质表，附录D是求扩散结杂质浓度梯度的图表和方法。对《半导体物理与器件》各章内容可以单独选择或任意组合使用。
问：学好半导体器件物理的好处
- 答：半导体物理是基础,学好了对理解器件轿乎旁原理有很大帮助。其实器件顷培的学习最重要的是掌握几个重点图闭橡的理解,比如NPN的电流输运图,把课本上的物理过程理解之后,抛开文字根据图按照自的理解又重新的过一遍,反复几次就能将器件原理真正记于心中,并能明白其中的考点。其他图也是如此,其实备战考研的时候也不过是这个过程。
