一、绿色陶瓷厚膜电致发光器件研究（论文文献综述）
王朝阳,樊子民,王晓刚[1]（2013）在《Fe掺杂PZT压电陶瓷的制备及其性能研究》文中提出采用传统固相反应法制备出了性能良好的Pb1-xFex（Zr0.55Ti0.45）1-x/4O3压电陶瓷,研究了烧结温度、Fe的掺杂量对PZT压电陶瓷的结构和电学性能的影响。结果表明,所制备的PFZT压电陶瓷以四方相为主晶相;当烧结温度为1150℃,保温2 h时试样具有最大的体积收缩率;随着Fe加入量增加,介电常数、压电常数降低,介电损耗逐渐减小。
董金美[2]（2008）在《PMS-PNN-PT压电厚膜材料性能的研究》文中进行了进一步梳理压电厚膜材料是20世纪90年代发展起来的一种新型功能材料,它兼顾了块体材料和薄膜材料的优点,具有良好的压电、介电和热释电性能。本文综述了国内外压电材料的研究进展,对压电陶瓷的压电效应、产生机理及其主要性能参数做了简要的介绍,并对压电厚膜的制备技术及其应用做了较为详细的总结。实验采用丝网印刷的方法在Al2O3基板上制备出了压电性能较好的PMS-PNN-PT厚膜,厚膜的厚度在50～80μm之间,主要性能参数分别为ρ=6.0g/cm3、d33=63.5pC/N、Kt=0.52、εr=143、tgδ=0.009、Qm=734。研究压电厚膜的烧结工艺（烧结温度、保温时间、烧结气氛）对其相结构、显微形貌及电性能的影响。利用XRD和SEM分析了材料的相组成和显微结构。实验表明,在密封埋粉的PbO气氛中、烧结温度T=1040℃、保温时间t=60min时得到的PMS-PNN-PT厚膜烧结样品,具有较好的显微形貌和优良的压电性能。研究极化条件（极化场强、极化温度、极化时间）对PMS-PNN-PT压电厚膜性能的影响。实验发现,在极化场强为4.0 kV/mm、极化温度为120℃、极化时间为5min时,压电厚膜综合性能良好。为了提高PT基厚膜材料的机械品质因数Qm和介电常数εr,满足大功率压电变压器的要求,在组分中同时添加少量的Pb（Mn1/3Sb2/3）O3和Pb（Ni1/3Nb2/3）O3,研究PMS/PNN相对量的变化对PMS-PNN-PT压电厚膜显微结构和性能的影响。利用XRD和SEM分析了材料的相组成和显微结构。结果表明:样品在预烧阶段,随着PMS/PNN相对量中PMS量的增加,厚膜的二次预烧粉料中出现了少量的焦绿石相,这是由PMS结构的不稳定引起的;样品烧结以后,随着PMS/PNN中PMS含量的不断增加,样品的显微形貌发生了很大变化,电性能先变好后变差,当PMS/PNN=0.03/0.05（mol/mol）时,达到最佳值。研究SiO2作为缓冲层对PMS-PNN-PT压电厚膜的显微结构及压电性能的影响。利用SEM分析厚膜下电极、压电层的显微结构,并用划痕法测试有缓冲层和无缓冲层PMS-PNN-PT压电厚膜的下电极与压电层、基板之间的膜基结合力,实验发现,加SiO2缓冲层的下电极层与压电层、基板的膜基结合力都远好于未加SiO2缓冲层的样品,这说明SiO2缓冲层有效地阻止了下电极与压电层、基板之间的相互扩散,提高了三者之间的粘结性,改善了样品的压电性能。
董金美,沈建兴,李传山,张雷[3]（2007）在《PZT压电厚膜的发展及其应用》文中认为PZT压电厚膜材料是20世纪90年代发展起来的一种新型功能材料,它兼顾了块体材料和薄膜材料的优点,具有良好的压电、介电和热释电性能。简述了PZT压电厚膜的国内外研究进展,对PZT压电厚膜的制备方法做了简短的介绍,并对其改性研究做了较为详细的总结,最后,阐述了PZT压电厚膜在国内外的应用并展望了其前景。
杨健[4]（2007）在《以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件的研究》文中研究说明人类已经进入信息时代,信息显示是信息科学的重要组成部分,是人机对话的中介。平板显示技术是信息时代对终端显示的基本要求。陶瓷厚膜电致发光显示器（Thick-film Dialectric Electro-Luminescence Display）作为一种平板显示技术令人满意地再现了过去只有阴极射线管（CRT）才能显示出的屏幕图像。无机材料的TDELD具有全固体化平板显示、驱动电压低、主动发光、视角大、分辨率高、响应速度快以及抗震能力强和使用温度范围宽等优点,是一种理想的平板显示器件,与液晶显示器（LCD）相比,具有无需背光源,发光强度高,响应速度快等优点;与阴极射线显示器（CRT）相比,具有能耗低,且发光效率高,视角广等优点;与等离子体显示器（PDP）相比,也具有造价低廉,使用安全,寿命长等优点,在科学仪器、便携式微机、航空航天和军事领域具有广阔的应用前景。本文讲述了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层的薄膜电致发光器件（TDEL ）的制备过程。着重介绍了电致发光器件的发光机理、绝缘层对电致发光器件的影响、陶瓷厚膜电致发光器件的制造工艺,具体做法如下:在玻璃基板上蒸镀内电极,使用高介电常数的{Pb（Ni1/3Nb2/3）O3-Pb（Mg1/2W1/2）O3-PbTiO3}电容浆料,利用流延工艺成膜,用丝网印刷法印制在衬底上,然后在900oC～1000oC下低温烧结,用真空热蒸发法蒸镀发光层,采用直流磁控溅射法制造透明电极,对制好的器件用封装胶进行固化封装。并且测量了器件的阈值电压、电致发光光谱和亮度-电压曲线,研究了发光机理和效率--电压特性,分析了电致发光器件的阈值电压与绝缘介质特性的关系。通过以上的研究,对厚膜制备条件与厚膜厚度等因素对陶瓷厚膜电致发光器件电致发光特性的影响做了优化,最终得到的器件特性如下:1.低压交流启亮,启亮电压为60V。2.提供了优良的抗击穿能力,解决了以前薄膜电致发光器件的针孔问题,提高了电致发光器件的稳定性和可靠性。3.器件的光亮度和颜色与视角无关。4.器件实现了高对比度。
唐春玖,赵伟明,刘祖刚,朱文清,蒋雪茵,张志林,许少鸿[5]（2000）在《绿色陶瓷厚膜电致发光器件研究》文中提出报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ZnSvEr, Cl作为发光层的绿色薄膜电致发光器件（CTFEL）。器件结构为陶瓷基片/内电极/陶瓷厚膜/发光层（ZnSvEr, Cl）/透明电极（ZnOvAl）。制备的器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光, 测量了器件的电致发光（EL）光谱和亮度-电压曲线, 研究了发光机理和效率-电压等特性
唐春玖,朱文清,赵伟明,刘祖刚,蒋雪茵,张志林,许少鸿[6]（1999）在《以陶瓷厚膜为绝缘层的绿色薄膜电致发光器件》文中进行了进一步梳理首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ∶Ｅｒ作发光层的绿色薄膜电致发光器件（ＣＴＦＥＬ）。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层（ＺｎＳ∶Ｅｒ）／透明电极（ＺｎＯ∶Ａｌ）。发光层是用电子束蒸发制备的，透明电极是采用溅射法制备的。器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光，研究了器件的亮度－电压和效率－电压等特性。
二、绿色陶瓷厚膜电致发光器件研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、绿色陶瓷厚膜电致发光器件研究（论文提纲范文）
（1）Fe掺杂PZT压电陶瓷的制备及其性能研究（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 实验 |
| 2 实验结果分析与讨论 |
| 2.1 物相分析 |
| 2.2 显微结构分析 |
| 2.3 Fe掺杂对烧结温度和体积收缩率的影响 |
| 2.4 Fe掺杂对d33的影响 |
| 2.5 Fe掺杂对介电常数的影响 |
| 2.6 Fe掺杂对介电损耗的影响 |
| 3 结论 |
（2）PMS-PNN-PT压电厚膜材料性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 压电陶瓷 |
| 1.2.1 压电陶瓷的压电效应及其产生机理 |
| 1.2.2 压电陶瓷的典型结构及其主要性能参数 |
| 1.3 压电厚膜材料的研究现状 |
| 1.3.1 压电厚膜浆料分散 |
| 1.3.2 压电厚膜基板材料 |
| 1.3.3 压电厚膜电极材料 |
| 1.3.4 压电厚膜缓冲层材料 |
| 1.4 压电厚膜的制备技术 |
| 1.4.1 丝网印刷技术 |
| 1.4.2 新型Sol-Gel 技术（粉末-凝胶法） |
| 1.4.3 电泳沉积技术 |
| 1.4.4 流延制备技术 |
| 1.5 压电厚膜的应用 |
| 1.5.1 压电厚膜频率控制器 |
| 1.5.2 压电换能器及传感器 |
| 1.5.3 光电器件 |
| 1.6 本课题的研究目的、意义及主要内容 |
| 第2章 实验方法及测试手段 |
| 2.1 实验原料及仪器设备 |
| 2.2 压电厚膜制备工艺 |
| 2.2.1 压电厚膜制备工艺流程图 |
| 2.2.2 压电厚膜粉体的制备 |
| 2.2.3 压电厚膜浆料的制备 |
| 2.3 陶瓷基板的预处理 |
| 2.4 SiO_2 缓冲层提拉烧结 |
| 2.5 厚膜下电极印烧 |
| 2.6 厚膜压电层丝网印刷 |
| 2.7 压电厚膜的排塑 |
| 2.8 样品的被银 |
| 2.8.1 银浆的配制 |
| 2.8.2 银浆的印刷 |
| 2.8.3 银浆的烧成 |
| 2.9 样品极化 |
| 2.10 性能测试及仪器装置 |
| 2.10.1 样品密度的测定 |
| 2.10.2 样品物相分析 |
| 2.10.3 样品形貌分析 |
| 2.10.4 压电性能测试 |
| 第3章 PMS-PNN-PT 压电厚膜材料制备工艺的研究 |
| 3.1 PMS-PNN-PT 压电厚膜预烧工艺的确定 |
| 3.2 烧结工艺对PMS-PNN-PT 压电厚膜显微结构和电性能影响的研究 |
| 3.2.1 烧结温度对PMS-PNN-PT 压电厚膜显微结构和电性能影响的研究 |
| 3.2.2 保温时间对PMS-PNN-PT 压电厚膜显微结构和电性能影响的研究 |
| 3.2.3 烧结气氛对PMS-PNN-PT 压电厚膜显微结构和电性能影响的研究 |
| 3.3 极化工艺对PMS-PNN-PT 压电厚膜电性能影响的研究 |
| 3.3.1 极化场强对PMS-PNN-PT 压电厚膜性能的影响 |
| 3.3.2 极化时间对PMS-PNN-PT 压电厚膜性能的影响 |
| 3.3.3 极化温度对PMS-PNN-PT 压电厚膜性能的影响 |
| 第4章 PMS/PNN 对PMS-PNN-PT 压电厚膜显微结构和电性能影响的研究 |
| 4.1 PMS/PNN 对PMS-PNN-PT 压电厚膜相结构的影响 |
| 4.2 PMS/PNN 对PMS-PNN-PT 压电厚膜显微形貌的影响 |
| 4.3 PMS/PNN 对PMS-PNN-PT 压电厚膜电性能的影响 |
| 第5章 SiO_2缓冲层对PMS-PNN-PT 压电厚膜显微结构和电性能影响的研究 |
| 5.1 SiO_2缓冲层对PMS-PNN-PT 压电厚膜显微结构的影响 |
| 5.1.1 SiO_2缓冲层对PMS-PNN-PT 压电厚膜下电极显微形貌的影响 |
| 5.1.2 SiO_2 缓冲层对 PMS-PNN-PT 压电厚膜断面显微形貌的影响 |
| 5.1.3 SiO_2 缓冲层对 PMS-PNN-PT 压电厚膜压电层显微形貌的影响 |
| 5.1.4 SiO_2 缓冲层对 PMS-PNN-PT 压电厚膜膜基结合力的影响 |
| 5.2 SiO_2 缓冲层对 PMS-PNN-PT 压电厚膜电性能的影响 |
| 第6章 结论 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 论文创新点 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间取得的科研成果 |
（4）以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 TDEL技术发展现状 |
| 1.2.1 无机电致发光技术发展概述 |
| 1.2.2 TDEL的基本结构 |
| 1.2.3 TDEL技术研发现状 |
| 1.2.4 TDEL与其它显示器件的比较 |
| 1.2.5 TDEL的前景 |
| 1.3 本文的研究内容 |
| 第二章 无机电致发光机理及发光特性 |
| 2.1 强场区的形成 |
| 2.2 初始电子的来源 |
| 2.3 界面发射 |
| 2.4 电子能量的运输 |
| 2.5 碰撞离化和碰撞激发 |
| 2.6 两种发光中心 |
| 2.7 发光中心的场致离化 |
| 2.8 电致发光的光电特性 |
| 2.8.1 电致发光亮度和电压的关系 |
| 2.8.2 电致发光屏的亮度和频率的关系 |
| 2.9 电致发光的亮度波形 |
| 2.9.1 脉冲驱动特性 |
| 2.9.2 滞后特性 |
| 2.10 电致发光屏的老化问题 |
| 第三章 绝缘层 |
| 3.1 绝缘层的作用及要求 |
| 3.2 绝缘层的等效电路 |
| 3.3 绝缘介质特性与器件阈值电压的关系 |
| 3.4 绝缘介质特性与器件效率的关系 |
| 3.5 常用绝缘材料的特性参数 |
| 第四章 以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件的制备与测量 |
| 4.1 器件的制备 |
| 4.1.1 器件的结构 |
| 4.1.2 基片的选取与清洗 |
| 4.1.3 内电极的制备 |
| 4.1.4 陶瓷厚膜的制备 |
| 4.1.5 发光层的制备 |
| 4.1.6 透明电极的制备 |
| 4.1.7 器件的封装 |
| 4.2 结果与讨论 |
| 4.2.1 陶瓷厚膜的制备 |
| 4.2.2 电致发光光谱 |
| 4.2.3 亮度与驱动电压之间的关系 |
| 4.2.4 亮度与驱动频率之间的关系 |
| 4.2.5 发光效率 |
| 4.2.6 陶瓷厚膜电致发光器件与传统电致发光器件的比较 |
| 4.3 结论 |
| 第五章 总结和展望 |
| 5.1 工作总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表的论文 |
| 攻读硕士期间参与的科研项目 |
| 致谢 |
（5）绿色陶瓷厚膜电致发光器件研究（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 实验 |
| 3 结果和讨论 |
| 结论 |
四、绿色陶瓷厚膜电致发光器件研究（论文参考文献）
- [1]Fe掺杂PZT压电陶瓷的制备及其性能研究[J]. 王朝阳,樊子民,王晓刚. 中国陶瓷, 2013(06)
- [2]PMS-PNN-PT压电厚膜材料性能的研究[D]. 董金美. 山东轻工业学院, 2008(12)
- [3]PZT压电厚膜的发展及其应用[J]. 董金美,沈建兴,李传山,张雷. 中国陶瓷, 2007(08)
- [4]以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件的研究[D]. 杨健. 天津理工大学, 2007(03)
- [5]绿色陶瓷厚膜电致发光器件研究[J]. 唐春玖,赵伟明,刘祖刚,朱文清,蒋雪茵,张志林,许少鸿. 光学学报, 2000(01)
- [6]以陶瓷厚膜为绝缘层的绿色薄膜电致发光器件[J]. 唐春玖,朱文清,赵伟明,刘祖刚,蒋雪茵,张志林,许少鸿. 液晶与显示, 1999(01)